0.13μm栅极刻蚀工艺的分析研究.pdf

013urn栅极刻蚀工艺研究 陈晋 复日人学研究生院． 摘要： 随着计算机技术的不断深入，我们的生活已经进入了电子时代，同时我们也正 经历着一场新的技术革命，而这场技术革命的原动力正是半导体产业的不断创新， 推动创新的就是半导体设计制造工艺的不断提升。I+21目前国际上的半导体制造工艺 ◆ 已经进入了纳米时代，世界级的制造大厂已经进入90nm的工艺大生产阶段，正在朝 着65nm的工艺前进，而我国目前最先进的工艺还停留在工艺0．18um上，少数公司 的刻蚀工艺，主要的目的有以下几点： 1．对刻蚀工艺的原理及应用做详细的分析。 2．以o．13um栅极的刻蚀工艺作为研究内容，找到最适合的刻蚀程式。 3．对0．13um栅极的刻蚀工艺做修正调试，使其能够进入大生产阶段，而不是停留 ● 在试验研发阶段。 4．提升整片晶圆上栅长的均匀性，提升产品的良率。 5．拓展130nm栅极的刻蚀工艺，使其能够适应到不同电性要求的芯片生产。 刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀 的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩膜图形．有图形的光刻胶层在刻蚀中不 受到腐蚀源显著的侵蚀。这层掩蔽膜用柬在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性 ， 地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。在CMOS工艺流程中都是在光刻工艺之后进行的从 这一点来说，刻蚀可以看成在硅片上复制想要的图形的最后主要图形转移工艺步骤。 本文经过一系列的试验完成了刻蚀程式的调试，并且刻蚀程式中的关键参数， ● 通过调整这些参数可以调整gate的宽度和形状，这对于实现0．13um工艺的量产显 得尤为重要。该程式具有以下特点： 1．实现了0．13um的理想的栅长，可以将栅长控制在0．13+／-0．005um。 使得产品良率大幅提升。 3．对栅极的形状进行了极大的修正，将其本身倾斜的形貌变得非常直，进而完全符 合器件最终的电性完全要求。 4．实现了刻蚀程式的可调性，通过调整He．02，压力等程式参数，可以使工艺变得 更加稳定，为o．13um-I-艺量产提供了韵提。 5．基于不同电性要求，程式可以衍生出许多相关的0．13um的刻蚀程式，通过调整 ● He一02的流量可以得到不同的栅宽为将束不同种类的0．13um芯片量产提供基础 刻蚀程式的调试已经完成，基本达到了最仞的要求，可以将其用到生产上面， 对于提升我国的半导体刻蚀工艺水平有一定的借鉴作用。 剩余氧化物的厚度(ROX)、 关键词：刻蚀率(E／R)、选择(Selectitivy)、线宽(cD)、 Recipewindow(程式的适用范围)、CD Bias(直径的差值)、AEI(刻蚀后的检查) 013urn栅极刻蚀T岂研究 防晋 复旦大学研究生院． Abstract of Theindustrysemiconductorcircuitsisa integrated typical themomentumforitsfast 1iesin technology—driven upgrading industry，and