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S-4800FESEM的原理及操作
一. S-4800FESEM的原理
二. S-4800FESEM的操作
报告人:王琴 陈惠锋
中科院宁波材料所公共平台
2009-09-25
一. S-4800FESEM的原理
电子枪 电子光学系统
真空系统
真空泵 成像系统
阳极
聚光器镜头
监视器
电子束 偏转增幅器
偏转线圈 偏转线圈
物镜 二次电子
检测器
样品
样品室 增幅器
二次电子
真空泵
扫描电镜结构示意图
电子激发样品可获得的各种信号
电子束
X射线 (~30kV)
(元素信息)
背散射电子
(凹凸·成份信息)
二次电子(样品的表面信息)
荧光
(化学结合状态信息) 俄歇电子(表层的元素信息)
10nm以内
(二次电子逸出深度)
电子散射区域 样品 样品吸收电流
二次电子SE
二次电子是指被入射电子轰击出来的核外电子。携
带有样品的表面形貌信息,通常来自样品表面5-50 nm的
区域,能量为0-50 eV。
由于它发自试样表面层,入射电子还没有较多次散
射,因此产生二次电子的面积与入射电子的照射面积没
多大区别。所以二次电子的分辨率较高,一般可达到50-
100 Å 。
扫描电子显微镜的分辨率通常就是二次电子分辨
率。二次电子产额随原于序数的变化不明显,它主要取
决于表面形貌。
背散射电子BSE
背散射电子是指被固体样品中的原子核反弹回来的一
部分入射电子。包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子.
从数量上看,弹性背散射电子远比非弹性背散射电子所占
的份额多。背散射电子能量在数千到数万电子伏。
背散射电子的产生范围在1000 Å到1 μm深,由于背散
射电子的产额随原子序数的增加而增加
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