单片机 课件2(1并口时序及XC866体系结构).pptVIP

XC866存储器结构 FFFFH F200H F000H E000H C000H B000H A000H 3000H 2000H 1000H 0000H FFFFH F200H F000H 0000H Boot ROM 8KB Flash Bank 3 4KB Flash Bank 2 4KB Flash Bank 1 4KB Flash Bank 0 4KB XRAM 512B 程序存储空间 外部数据存储空间 内部数据存储空间 7FH 00H FFH 80H 内部RAM SFR 内部RAM 间接寻址 直接寻址 XRAM 512B 用户模式下XC866的存储器结构 程序存储器 Boot ROM工作模式 1）执行0000H~1FFFH的BootROM代码 2）地址空间切换 3）进程从C00XH继续执行，并检查MBC、TMS和P0.0的值，进入相应的模式 地址空间交换示意图 XC866Flash存储器 主要特点： 通过UART在系统编程(ISP) 在应用编程(IAP) 纠错码(ECC)可动态纠正一页错误 后台编程和擦除操作，使CPU负载最小 支持擦除终止操作 最小编程宽度为32字节 最小擦除宽度为一个扇区 每次读取一个字节 3 x CCLK周期的读取时间(包括一个等待状态) Flash存储器结构 P-Flash Bank2 4 Kbytes D-Flash Bank 4 Kbytes D-Flash Bank 4 Kbytes P-Flash Bank1 4 Kbytes P-Flash Bank0 4 Kbytes P-Flash Bank0 4 Kbytes B000H A000H 3000H 2000H 1000H 0000H 8 Kbytes 16 Kbytes XC866-2FR XC866-4FR XC866Flash存储器（续） 一体化的16KB(XC866-4FR)或8KB(XC866-2FR)嵌入式Flash闪存存储器用于存储程序或数据 Flash阵列模块由4个4KB的Bank组成(8KB版本的由两个Bank组成) 前面3个Bank(0,1 and 2)用于程序Flash 第4个Bank (Flash Bank 3)作为数据Flash被划分为更多的物理扇区以提高擦除效率 XC866Flash存储器（续） 4KB Bank的体系结构: 130条字线(包括用于配置扇区的2条字线) 384条位线 32 x 12bit写缓冲区 每个编程周期写32个字节(1条字线) 4KB Bank的特征 编程时间: 2.2ms (典型值) 擦除时间: 120ms (典型值) 读访问时间: 100ns (最先值) FlashBank分区 扇区和页结构 Flash Banks 0, 1和2的扇区划分(程序Flash) 一个3.75KB扇区 两个128B扇区 Flash Bank 3的扇区划分(数据Flash) 两个1KB扇区 两个512B扇区 两个256B扇区 四个128B扇区 纠错码提高了数据的完整性(ECC) 8bits数据扩展为12bits带纠错码数据 检测并纠正1位错误的能力 2位错误可以被检测但不能被纠正，可产生一个非可屏蔽中断 使用汉明码修正算法 FlashBank分区示意图 扇区9: 128-byte 扇区8: 128-byte 扇区7: 128-byte 扇区6: 128-byte 扇区5: 256-byte 扇区4: 256-byte 扇区3: 512-byte 扇区2: 512-byte 扇区1: 1-Kbyte 扇区0: 1-Kbyte 扇区2: 128-byte 扇区1: 128-byte 扇区0: 3.75-Kbyte P-Flash D-Flash XC866-RAM结构 内部数据存储空间 7FH 00H FFH 80H 内部RAM SFR 内部RAM 间接寻址 直接寻址 XRAM的功能简介 可做为外部程序存储器区使用 访问方式：DPTR间址寻址 使用的指令：MOVC 可做为外部数据存储器使用 访问方式：DPRT间址或基址+间址寻址 基址存放在XADDRH中，间址使用Ri 使用的指令：MOVX SFR映射地址扩展 在系统级通过映射进行地址扩展。通过设置位RMAP将SFR区扩展为大小相等的标准区和映射区，从而使可寻址的SFR个数扩展到256个。选择扩展地址区不由CPU 指令直接控制，而是由位于地址8FH 上的系统控制寄存器SYSCON0 中的位RMAP 来控制。置位SYSCON0 中的RMAP，控制访问映射SFR 区时；然而，对RMAP 清零，控制访问标准SFR 区。 RMAP 位必须由ANL 或ORL 指令清零/置位。SYSCON0 的其余各位不应修改。 SFR映射地址扩