第六篇 光电接收器件.ppt

1）工作原理 与光电二极管相类似，只是它还利用少数载流子扩散的晶体管放大作用来提高其增益。但反过来就影响了其响应速度。光晶体管的结构与普通结型晶体管相同。见书P44 图6.5 使用 在发射极-集电极之间加上与结型晶体管相同方向的 偏压，即发射极正向偏压，集电极加反向偏压。基极浮空 ，基区作为光的接收部位，可增大其面积，以提高效率。 6.3 高速光电二极管 1）优点：响应速度快、灵敏度高。 2）分类：pin光电二极管和雪崩二极管（APD）。 高速光电二极管由于具有响应速度非常快这样的优点，所以常用在高频响应的光应用领域中。 注意：高速光电二极管的原理与普通的光电二极管原理是一样的。 6.3.1 pin 管的结构和作用 其结构如书p45上的图6.6。 在pn结的耗尽层区域内具有本征区域（i层），i层载流子浓度非常低，是一个高阻层。 高阻层起的作用：在pn结上加上反向偏压后，它将成为具有较强内部电场的区域，因此，通过加入这个高阻层i层，扩大了携带电信号的光生载流子的产生空间；降低了影响频率响应的pn结的电容量。结果就是提高了灵敏度和响应速度。 形成光电流由两部分组成：1）光照下，在i区产生电子-空穴对，电子和空穴在强电场下分离，电子向n区移动 式中，W为i层的厚度； 为载流子的漂移速度。 高速光电二极管的响应速度是由光生载流子在i层漂移区内的渡越时间决定的。 响应的截止频率（响应速度的上限）与I层厚度的关系如下式： 而空穴向p区移动，并以光电流形式向外流出，2）还有一部分光电流是由于光进入到了n区里，产生了空穴，空穴进入i层内，同样也产生漂移。 1）制作P-N结的材料，可以是同一种半导体（同质结），也可以是由两种不同的半导体材料或金属与半导体的结合（异质结）。“结合”指一个单晶体内部根据杂质的种类和含量的不同而形成的接触区域，严格来说是指其中的过渡区。 ??? 2）结有多种：P-N结、P-I结、N-I结、P+-P结、N+-N结等。I型指本征型，P+、N+分别指相对于p、n型半导体受主、施主浓度更大些。 补充一点： P I N PIN的结构： 作用有三个： 1 增加光子在其内的吸收 2 耗尽层具有很高的电场强度 3 耗尽层宽度增加，可使结电容减小， 利于高频响应。 PIN 结构 光电流的产生 6.3.2 雪崩二极管 它是利用pn结当加的反向偏压接近击穿时，发生载流子碰撞雪崩电离，以获得光生载流子倍增的器件。 在给pn结加上反向电压后，它几乎不会有电流流过，但如果反向电压增大到一定值 后，反向电流迅速增大的现象称为pn结击穿，发生击穿时的电压称为反向击穿电压。 击穿现象中，电流增大的原因不是因为由于迁移率的 1. pn结击穿 增大，而是由于载流子数目的增加。到目前为止，pn击穿共有三种：雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿。 光子照射 电子-空穴对，当pn结反向电压足够高时，它们在结内高电场作用下，获得足够高的动能，在定向运动过程中与晶体原子碰撞产生新的电子-空穴对，新产生的电子和空穴又在电场中获得足够能量，通过碰撞再产生电子和空穴……如此下去，像雪崩一样迅速反应而激发出大量的载流子，使初始的光电流大大增加。 2. 雪崩碰撞电离原理： 产生 3.结构 见书上p47 图6.7。由一个 结与一个 层和 层构成。 高电阻漂移层对应pin管的i层，结果是在 层和 结内将产生非常强的电场。 4. APD增加灵敏度的原因 它的光电流的产生主要包含哪几部分? 1） 当加上反向偏压后，在 层和 结内会产生非常强的电场，在 结内的载流子被加速，就导致雪崩碰撞电离现象的产生，从而，对于每个入射的光子将产生更多的载流子，此耗尽层也称为雪崩区。占光电流的主要部分。 2）与pin管的i层一样， 层内产生的电子-空穴对因为强电场而分离，电子向 层漂移，空穴向p+层漂移，形 成光电流。 3）当然