硅材料的测试及分析.pdf

第八章 硅材料的测试与分析 8.1 硅材料的电学参数测量 电学参数测量是硅材电学性能测量的重要内容。它主要包括导电型号、电阻率、少子寿 命和迁移率测量。本节将对上述电学参数逐一进行介绍。 8.1.1 导电型号的测量 硅半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子[1~3] 。多数载流子是电子的称n 型硅半 导体；多数载流子是空穴的称 p 型硅半导体。测量导电型号就是确定硅材料中多数载流子的 类别。 目前，国内外测量导电型号的方法有冷热探针法、整流法、双电源动态导电法和霍尔效 应法等。由于前面三种方法具有所需设备简单的优点，而霍尔效应法所用到的设备较复杂， 且对于近本征材料的型号确定不准确，因此下面主要介绍前面三种方法。 8.1.1.1 冷热探针法 冷热探针法是利用温差电效应来测量硅晶体的导电型号的。它包括两种测量方法，即利 用温差电流方向测量法和利用温差电势极性测量法，如图 8-1 所示。 图 8-1 冷热探针法测导电类型 （a ）利用电势极性测量 （b ）利用温差电流方向测量 在样品上压上两根金属探针，一根是热探针，其结构可以是将小的加热线圈围绕在一个 探针的周围，也可以用小型电烙铁；另一根是冷探针，其温度为室温。冷热探针的材料用不 锈钢或镍比较好，其温差保持 30～40 ℃即可。每一根探针的尖端应为 60 度的圆锥。 当冷热探针和 N 型硅晶体接触时，两个接触点便产生温差，传导电子将流向温度较低 的区域，从而使热探针处于电子缺少状态，因而相对于室温触点而言，热探针电势将是正的； 同理，对 P 型硅晶体热探针相对室温触点而言将是负的。此时，如果将冷热探针接上数字 电压表（或检流计）形成一闭合回路，则根据两个接触点处存在温差所引起的温差电压(或 温差电流) 的方向可以确定导电类型。 如果冷热探针法测量的是温差电流，则主要适用于电阻率小于 1000 Ω·cm 的硅晶体的 检测；而如果检测的是温差电势，便可提高电阻率的检测上限。 1 8.1.1.2 整流法 整流法用于测量电阻率在 1～1000 Ω·cm 之间的硅晶体的导电型号。此法是将一个直 流微安表、一个交流电源与半导体上的两个接触点串联起来，根据直流微安表正向或负向偏 转可判断样品是 P 型还是 N 型。如图 8-2 所示，其中一个触点是整流触点，通常只需采用 一个探针；另一个触点必须是欧姆触点，较难处理，为了获得欧姆触点，经常采用大面积夹 紧的方法。另外，为了解决欧姆触点的制备难题，还可用三探针结构进行处理。 图 8-2 整流法测量导电型号 8.1.1.3 双电源动态电导法 与冷热探针法和整流法相比，双电源动态电导法的优点是探针与半导体之间无需构成欧 姆接触。 图 8-3 双电源动态电导法示意图 双电源动态电导法装置如图 8-3 所示，1、4 探针合并为一个探针，工频电压加在 2 、3 探针与 1、4 探针之间。因为 2 、3 两个触点构成整流结，正反偏置时的电导不同，所以 2 、 3 探针的电导变化可显示动态电导，从而导电型号就可确定。如果将音频信号加在 2 、3 探 针间，那么音频电流的变化便可反映电导的变化，从示波器可观察到这一变化。 双电源动态电导法主要用于判别 1000 Ω·cm 以上高阻硅晶体的导电型号。 8.1.1.4 测准条件的分析 每一种测量导电类型的方法只有在一定适用范围内才有可能保证检测结果的准确，因 此，测量时应该注意以下几个问题： （1）首先应根据晶体电阻率的大致范围，再选择一种测量型号的方法。 （2 ）测量样品时不宜用抛光面或腐蚀面，通常需要粗磨样品表面，最好经过喷砂处理。 （3 ）在测量型号时最好对周围电磁场加以电磁屏蔽，避免外界干扰。另外，电流表一 般用中心指零式，灵敏度为满刻度至少 200 微安。 （4 ）用整流法时，要注意大面积欧姆接触，一定要用力压紧，使接触良好，使用薄的 软铅皮能得到良好的欧姆接触。 （5 ）用冷热探针法时，热探笔的温度不能过高。过高的温度会引起本征激发，从而使