1 MOS场效应管.pdf

第三章 场效应晶体管及其放大电路 场效应晶体管是一种利用电场强度控制管导电特性的 半导体器件。 输入阻抗高 热稳定性好 与双极型晶体管相比较， 噪声小 目前的大规模集 场效应的 成电路大都由 抗辐射能力强 场效应管集成。 体积小、集成度高， 耗电少 绝缘栅场效应管 （IGFET) 根据结构和工作原理， 场效应管可分类为 ： 结型场效应管 （JFET) 1 大功率场效应管，如VDMOS管， IGBT管 3.1 MOS 场效应管（绝缘栅场效应管） 以N沟道增强型MOS管为例 结构特点： 源极 栅极 漏极 S G D 在一种类型的半导体衬底上 光刻扩散出两个高掺杂的另 铝 一类型的区域作为 源极S 和漏极D ， SiO 绝缘层 2 在源漏极之间的衬底上生成 一二氧化硅绝缘层，再在其 上蒸发出一层金属铝作为 栅极G 。 + + 衬底 N N 耗尽 L 层 W 符号： P 型衬底 沟道 由于栅极与衬底之 宽度 D 间有二氧化硅绝缘 层，故称绝缘栅场 效应管。又由于从 沟道 G B 栅极到衬底依次为 B 长度 金属(M)、氧化物 衬底极 (O)、半导体(S)，故 S 又称为 MOS场效应管。 N沟道 增强型 MOS场效应管的结构示意 2 MOS技术的发展是集成电路 源极S 栅极G 漏极 快速发展的一个主要标志。 D