化合物半导体教案.doc

化合物半导体高速集成电路 .1．化合物半导体是由两种或多种元素组成的混晶结构半导体。目前应用最广、发展最快的化合物半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物。 .2．化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。具体表现在以下几个方面：（1）化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度。（2）GaAs材料的肖特基势垒特性比Si优越。（3）GaAs的本征电阻率可达109，比硅高四个数量级，为半绝缘衬底。4）禁带宽度大，可以在Si器件难以工作的高温领域工作。GaAs为直接带隙半导体，可以发光。也就是说它可以实现光电集成。（6）抗辐射能力强。 .3．高性能化合物半导体材料制备设备主要为：分子束外延设备（MBE）和金属有机物化学气相沉积设备（MOCVD）。 4．GaAs材料为闪锌矿结构，与金刚石结构类似，所区别的是前者由两类不同的原子组成。 .5原子结合为晶体时，轨道交叠。外层轨道交叠程度较大，电子可从一个原子运动到另一原子中，因而电子可在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动 6．二维电子气概念 半导体表面反型层中的电子因处于如同被封闭于势箱中的自由电子一样，电子的德布罗意波长与势阱的宽度相当，发生“量子尺寸效应”。即在垂直方向的运动丧失了自由度，只存在有在表面内两个方向的自由度，它的散射几率比三维电子气小得多，因此迁移率高。 .7．典型的二维电子气（2－DEG）存在于以下结构中：半导体表面反型层、 异质结的势阱、超薄层异质结（量子阱结构）。 8．超晶格，是由几种成分不同或掺杂不同的超薄层周期性地堆叠起来而构成地一种特殊晶体。 9．超薄层堆叠地周期（称为超晶格地周期）要小于电子的平均自由程，各超薄层的宽度要与电子的德布罗意波长相当。其特点为在晶体原来的周期性势场之上又附加了一个可以人为控制的超晶格周期势场，是一种新型的人造晶体。 .10。 11．利用异质结构，重复单元是由组分不同的半导体薄膜形成的超晶格称为复合超晶格，又称为组分超晶格。 12．利用超薄层材料外延技术（MBE或MOCVD）生长具有量子尺寸效应的同一种半导体材料时，交替地改变掺杂类型的方法（即一层掺入N型杂质，一层掺入P型杂质），即可得到掺杂超晶格，又称为调制惨杂超晶格。 13．GaAs掺杂超晶格能带示意图 14．超晶格应用举例 谐振隧道二极管（ Resonant Tunneling Diode ，RTD ） 典型GaAs和AlGaAs交替生长构成的双势垒结构能带结构见图3-2。当势阱宽度足够窄时，阱中形成二维量子化能级E0、E1、E2…。 15． Rtd的负阻特性及各点所对应能带图， 16．谐振隧穿器件特点：⑴高频、高速工作。⑵低工作电压和低功耗。⑶负阻、双稳和自锁特性。⑷多种逻辑功能和用少量器件完成一定逻辑功能的特性。 17．由导电类型相反的两种半导体材料制成异质结，若形成异质结的两种材料都是半导体，则为半导体异质结。 18． （E0：真空能级。表示电子跑出半导体进入真空中所必须具有的最低能量，对所有材料都是相同的。Χ：电子亲和势。是一个电子从导带底移动到真空能级所需的能量，由材料的性质决定，和其他外界因素无关。φ：功函数。表示将一个电子从费米能级EF处转移到真空能级所需的能量。费米能级的高度与半导体所掺杂质的类型和浓度有关。Eg1、Eg2分别表示两种半导体材料的禁带宽度；δ1为费米能级EF1和价带顶Ev1的能量差，δ2为费米能级EF2与导带底Ec2的能量差。） 19．形成异质结后能带图 p－GaAs N－AlGaAs 20半导体异质结的伏安特性由图可知，在不考虑界面态情况下，负反向势垒p-N异质结和p-n结类似，具有很好的整流特性（单向导电性）；在正反向势垒时几乎不存在有整流特性，正向和反向电流随外加电压按指数函数关系增大。 p-N型异质结电流电压特性关系------实线－负方向势垒 虚线－正反向势垒 21. 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor ，HEMT），也称为2－DEG场效应晶体管；因用的是调制掺杂的材料，所以又称为调制掺杂场效应管。 22. 赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) 采用非掺杂的InGaAs代替非掺杂的GaAs作为2－DEG的沟道材料制成了赝高电子迁移率晶体管。 23.InGaAs层厚度约为20nm，能吸收由于GaAs和InGaAs之间的晶格失配（约为1％）而产生的应力，在此应力作用下，InGaAs的晶格将被压缩，使其晶格常数大致与GaAs与AlGaAs的相匹配，成为赝晶层。 24. PHEMT较之常规HEMT有以下优点：(1)InGaAs层二维电子气的电子迁移率和饱和速度皆高于GaAs因此工作频率更高。(2)InGaAs禁带宽度小于GaAs，因此增加了导带不