商用cmos工艺sram脉冲中子辐射效应试验-太赫兹科学与电子.pdf

第 14 卷 第 5 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．14，No．5 2016 年 10 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Oct．，2016 文章编号：2095-4980(2016)05-0800-05 商用 CMOS 工艺 SRAM 脉冲中子辐射效应实验 齐 超，杨善潮 ，刘 岩 ， 陈 伟，林东生 ，金晓明 ，王晨辉 (西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室，陕西 西安 710024) 摘 要 ：为研究互补金属氧化物半导体(CMOS) 工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效 应机理，对 SRAM 翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下 SRAM 翻转是单粒 子翻转的叠加的假设，计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆 上对 3 种特征尺寸商用 SRAM 开展了脉冲工况实验研究，得到了单位翻转和伪 2 位翻转数据，结 合模拟结果分析了 SRAM 在脉冲中子作用下的翻转机制。 关键词 ：脉冲中子；单粒子翻转；伪多位翻转；静态随机存储器 中图分类号 ：TN43 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201605.0800 Experimental investigations on pulsed neutron radiation effect on commercial CMOS SRAMs QI Chao，YANG Shanchao，LIU Yan，CHEN Wei，LIN Dongsheng，JIN Xiaoming，WANG Chenhui (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect，Northwest Institute of Nuclear Technology， Xi ’an Shaanxi 710024，China) Abstract: For the purpose of investigating pulsed neutron radiation effect on Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) Static Random Access Memory(SRAMs)，a Monte Carlo simulation method based on the hypothesis that the upsets are caused by the super positioning of Single Event Upset(SEUs) is presented. In the simulation, the percentages of Single Bit Upset(SBU) and pseudo Multiple Bit Upset(MBU) bits in total induced upset bits are calculated. Experiments on commercial SRAMs of three feature sizes are performed on Xian Pulsed Reactor under pulsed irradiation condition. Upset