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MRF8S1810HR3;MRF8S18120HSR3;MRF8S18120HSR5;MRF8S18120HR5;中文规格书,Datasheet资料
Freescale Semiconductor Document Number: MRF8S18120H
Technical Data Rev. 1, 10/2010
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs MRF8S18120HR3
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequen- MRF8S18120HSR3
cies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all
typical cellular base station modulation formats.
• Typical GSM Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 800 mA, Pout =
72 Watts CW
1805--1880 MHz, 72 W CW, 28 V
Gps ηD GSM, GSM EDGE
Frequency (dB) (%)
LATERAL N--CHANNEL
1805 MHz 18.2 49.8 RF POWER MOSFETs
1840 MHz 18.6 51.4
1880 MHz 18.7 53.9
• Capable of Handling 7:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1840 MHz, 150 Watts CW
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 120 Watts CW CASE 465--06, STYLE 1
• Typical GSM EDGE Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 800 mA, Pout = NI--780
46 Watts Avg.
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