第3章 半导体光电检测器件和应用4.pptVIP

* 2 信号电荷的存储 uG 10V 10V UG=5V UG=10V UG=15V 空势阱 填充1/3势阱 全满势阱 MOS电容存储信号电荷的容量为：Q=Cox?UG?A 3 信号电荷的转移和传输 如前所述加在MOS电容器上的电压VG愈高，产生的势阱愈深，在一定电压下，势阱深度随着其中信号电荷量的增加而线性的下降。利用这个特性，通过控制CCD相邻MOS电容器栅极电压的高低来调节势阱的深浅，使信号电荷从势阱浅的地方流向相邻的深势阱处，这样便实现了信号电荷的转移， 故CCD这部分又称为动态移位寄存器的作用。（信号电荷的转移过程也是在热非平衡态下进行的。因此CCD信号的存储和传输都必须在达到热平衡态之前进行，CCD是非平衡光电传感器件。为避免光照影响，CCD的移位寄存器表面上覆盖了不透光的金属。 ） * 3 信号电荷的转移和传输 CCD的基本功能是具有存储与转移信息电荷的能力，故又称它为动态移位寄存器。实现电荷转移条件： 首先，为了实现信号电荷的转换，首先必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合。通常相邻MOS电容电极间隙必须小于3μm，甚至小至0.2 μm以下。 其次，根据加在MOS电容上的电压越高，产生的势阱越深的原理，通过控制相邻MOS电容栅极电压高低来调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。 第三，在CCD