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* 计算 分析法 静态工作点的计算 晶体管h参数微变等效电路 用计算分析法计算主要性能指标 第五章 Uo+Uo 放大电路 Rs + _ Rb VBB ICQ Vcc + _ RL Uo + _ IBQ + Rc UBEQ UCEQ 直流通路 第三节 Us Rs + _ + _ Rb VBB Vcc + RL + _ Rc Ui . . ? 交流通路 Ui + Rb + Ib _ Us Uce _ Rc Uo + _ RL Rs . . . Ic + _ . . ? 根据直流通路可以列出 再从 UBEQ=0.7V(硅管) UBEQ=0.2V(锗管） 根据上述式子就可以估算静态工作点的IBQ,UBEQ,ICQ及UCEQ的值 Rs + _ Rb VBB ICQ Vcc + _ RL Uo + _ IBQ + Rc UBEQ UCEQ 导通 电压 第三节 晶体管交流等效电路框图 Ui + Rb + Ib _ Us Uce _ Rc Uo + _ RL Rs . . . Ic + _ . . Ic . Ube . + _ b Uce . + _ e c e Ib . b _ + + _ e c Ib . Ic . Ube . Uce . 第三节 ? （一）晶体管的h参数微变等效电路 由晶体管输入特性和输出特性，可以得到 求函数在静态工作点的全微分 用有限的增量来代替无穷小增量，用增量比来代替偏导数，有 第三节 式中 把由信号引起的增量用交流正弦复数量代替 根据这两个方程画出晶体管的h参数微变等效电路 Ube . Uce . + _ hreUce . e e e c b + _ Ib . Ic . 第三节 （二）h参数的物理意义 在 中令 即将输出端交流短路，则有 hie称为输出交流短路时的输入电阻，单位为欧姆(?)。 1.hie 它表示基-射极间信号电压对基极信号电流的控制作用。通常用rbe来表示hie，称为晶体管共射接法时基射极间的交流输入电阻。 第三节 如图所示 Ube . + _ hie 2.hre 在 中令 即将输入端交流开路，则有 hre称为输入端交流开路时的反向电压传输比，hre这个参数表示了输出电压对输入回路的影响，它是一个无量纲的比例系数。 第三节 3.hfe 在 中令 即将输出端交流短路，则有 hfe称为输出端交流短路时的放大系数，或正向电流传输比，也就是交流β，是一个无量纲的系数。它表示晶体管的电流放大能力。 第三节 4.hoe 在 中令 即将输入端交流开路，则有 hoe称为输入端交流开路时的输出电导，单位为西门子（S）。 通常用rce来表示，称为晶体管集-射极交流输出电阻。 第三节 由特性曲线求h参数 0 iB uBE Q UCEQ 求hie 0 iB uBE Q IBQ 求hre 0 uCE iC Q 求hfe 0 uCE iC IBQ Q 求hoe 第三节 电流源的性质 电压源的性质 微变等效电路中的电量都是信号电压、信号电流。 h参数必须用Q点的值求出。Q点改变，参数也改变。 Ube . Uce . + _ hreUce . e e e c b + _ Ib . Ic . hie及hoe分别表示晶体管的交流输入电阻和输出电导。 （三）关于微变等效电路的几个问题 第三节 （四）简化h参数微变等效电路 Ube . Uce . + _ hreUce . e e e c b + _ Ib . Ic . 两个h参数的等效电路 e Ube . + _ β e c b + _ Uce . rbe Ib . Ic . Ib . 三个h参数的等效电路 Ube . Uce . + _ rbe rce e e c b + _ β Ib . Ic . Ib . 为基区半导体的体电阻，在本书中近似取为300?。 在常温下UT可取为26mA ，IEQ为发射极的静态电流。 第三节 （一）计算电压放大倍数 微变等效电路 Uo . + _ rbe Ib Rc + _ β RL Rs + _ Us . Ui . Ri Ro . Ib . Ic . Rb + _ Ii . Io . 1.计算电压放大倍数 及输出信号电压 Uo . . Au 放大电路 Rs + _ + _ Rb VBB Vcc + _ RL Uo Uo + . Rc T + Ui . Us . 第三节 电压放大倍数 是放大电路的一个重要性能指标。它表示放大器放大信号电压的能力，定义为输出正弦电压与输入正弦电压复数值之比。即为 式中 放大倍数亦常用增益来表示，单位是分贝（dB）。 只要将放大倍数的模代入公式 就可以换算成放大电路的增益 电压放大倍数 Au=Uo/Ui 第三节 可以利用放大电路的微变等效电路来计算电压放大倍数 根据图示电路可知