光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征-化工学报.PDFVIP

第 67 卷 第 10 期 化 工 学 报 Vol.67 No.10 2016 年 10 月 CIESC Journal October 2016 DOI ：10.11949/j.issn.0438-1157 光电化学刻蚀方法去除SiC 衬底外延石墨烯缓冲层及其表征 孙丽，陈秀芳，张福生，于璨璨，赵显，徐现刚 （山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南 250100 ） 摘要：高温条件下裂解碳化硅（SiC）单晶，在直径5 cm 的4H-SiC （0001 ）面制备出单层石墨烯。利用光电化学 刻蚀方法，使 KOH 刻蚀液与 SiC 发生反应，降低石墨烯与衬底之间的相互作用力，去掉原位生长过程中 SiC 衬 底与石墨烯之间存在的缓冲层，获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度，总结出电 流密度为 6 mA ·cm−2 、紫外灯与样品间距为 3 cm 时，石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用 此优化后工艺处理的样品，拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离，表现出准自由石墨烯的特性。X 射线光 电子能谱（XPS ）C1s 谱图中代表上层石墨烯与衬底 Si 悬键结合的 S1、S2 特征峰消失，即石墨烯缓冲层消失。 通过分析刻蚀过程中的电化学曲线，提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。 关键词：石墨烯；合成；碳化硅；缓冲层；电化学；光化学 中图分类号：O 649.1 文献标志码：A 文章编号：0438—1157 （2016 ）10—4356—07 Photo-electrochemical removal of graphene buffer layer on SiC substrate SUN Li, CHEN Xiufang, ZHANG Fusheng, YU Cancan, ZHAO Xian, XU Xiangang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, Shandong, China) Abstract: Monolayer graphene was fabricated on silicon carbide (SiC) (0001) face by thermal decomposition of SiC single crystal of 5 cm in diameter. The reaction of SiC substrate with aqueous potassium hydroxide (KOH) by photo-electrochemical etching reduced the interaction force between graphene and SiC substrate, and the quasi-free-standing bilayer graphene was obtained by removal of buffer layer between graphene and SiC substrate. Numerous conditions of current densities and illumination intensities were studied. The optimal condition to remove graphene buffe