8、角度调制与解调.ppt

直接调频的主要优点是可以获得较大的频偏，但是中心频率的稳定性（主要是长期稳定性）较差。 在某些情况下，对中心频率的稳定度提出了比较严格的要求。例如，在88～108 MHz( 波段的调频电台，为了减小邻近电台间的相互干扰，通常规定各电台调频信号中心频率的绝对稳定度不劣于2kHz。若中心频率为100 MHz，这就意味着其相对频率稳定度不劣于2×10-5。这种稳定度要求，变容二极管调频无法达到。 目前，稳定中心频率常采用以下三种方法： 1）对石英晶体振荡器进行直接调频； 2）采用自动频率控制电路； 3）利用锁相环路稳频。第二、三种方法将在第10章介绍。 从第6章已知，晶体振荡器有两种类型。一种是工作在石英晶体的串联谐振频率上，晶体等效为一个短路元件，起着选频作用。另一种是工作于晶体的串联与并联谐振频率之间，晶体等效为一个高品质因数的电感元件，作为振荡回路元件之一。通常是利用变容二极管控制后一种晶体振荡器的振荡频率来实现调频。 变容二极管接入振荡回路有两种方式。 一种是与石英晶体相串联，另一种是与石英晶体相并联。 无论哪一种接入方式，当变容二极管的结电容发生变化时，都引起晶体的等效电抗发生变化。在变容二极管与石英晶体相串联的情况下，变容管结电容的变化，主要是使晶体串联谐振频率发生变化，从而引起石英晶体的等效电抗的大小变化；当变容二极管与石英晶体相并联时，变容二极管结电容的变化，主要是使晶体的并联谐振频率发生变化，这也会引起晶体的等效电抗的大小发生变化。 总之，如果用调制信号控制变容二极管的结电容，由于石英晶体的等效电抗也受到控制，因而亦使振荡频率受到调制信号的控制，即获得了调频信号。但所产生的最大相对频移很小，约只有10-4数量级。 变容二极管与晶体并联联接方式有一个较大的缺点，就是变容管参数的不稳定性直接严重地影响调频信号中心频率的稳定度。因而用得比较广泛的还是变容管与石英晶体相串联的方式。 最后指出，对晶体振荡器进行调频时，由于振荡回路中引入了变容二极管，因此频率稳定度相对于不调频的晶体振荡器有所降低。一般，其短期频率稳定度达到10-6数量级，长期频率稳定度达到10-5数量级。 加到变容管上的反向电压包括直流偏压 和调制信号电压 ，如图(b)所示，即 此处假定调制信号为单音频简谐信号。结电容在 的控制下随时间发生变化，如图(c)所示。 变容二极管调频电路 + + - - 在图中，虚线左边是典型的正弦波振荡器，右边是变容管电路。加到变容管上的反向偏压为 式中， 是反向直流偏压。 图中， 是变容管与 回路之间的耦合电容，同时起到隔直流的作用； 为对调制信号的旁路电容； 是高频扼流圈，但让调制信号通过。 把受到调制信号控制的变容二极管接入载波振荡器的振荡回路，如图上所示，则振荡频率亦受到调制信号的控制。适当选择变容二极管的特性和工作状态，可以使振荡频率的变化近似地与调制信号成线性关系。这样就实现了调频。 下图是等效电路。图中 表示加有反向电压 的变容二极管电容。 当调制信号 时，变容二极管结电容为常数 ，它对应于反向直流偏压 的结电容，得 这时，振荡回路总电容为 当调制信号为单音频简谐信号，即 时，变容二极管结电容随时间变化，可以得到这时的结电容为 令 ，这里的m称为调制深度。于是，上式可化为 由调制信号所引起的振荡回路总电容变化量： 由 所引起的频率变化为 令 P是变容二极管与振荡回路之间的接入系数。而 此处 该式说明，瞬时频率的变化中，含有 a）与调制信号成线性关系的成分，其最大频移为 b）与调制信号的二次、三次谐波成线性关系的成分，其最大频移分别为 c）中心频率相对于未调制时的载波频率产生的偏移为 二次非线性失真系数为 三次非线性失真系数为 总的非线性失真系数为 为了使调制线性良好，应尽可能减小Δf2和Δf3 ，亦即减小k2和k3 。 为了使中心频率稳定度尽量少受变容二极管的影响，就应尽可能减小Δf0 。从式（10.4.22）至式（10.4.27）诸式可以看出，如果选取较小的m值（即调制信号振幅较小，或者说变容二极管应用于曲线比较窄的范围内），则非线性失真以及中心频率偏移均很小。但是，有用频偏也同时减小。为了兼顾频偏和非线性失真的要求，常取m=0.5。 从以上各式还可看出，若选取γ=1，则二次、三次非线性失真系数以及中心频率偏移均可为零。这是预料之中的结论。 需要强调指出，以上讨论的是相对于回路总电容C很小（即频偏很小）的情况。如果比较大，这时式（10.4.18）不再成立，所以最