刘诺-半导体物理学-第一章节.ppt

UESTC——Nuo Liu 半导体物理 SEMICONDUCTOR PHISICS 编写：刘诺 副教授 独立制作: 刘 诺 副教授 电子科技大学 微电子与固体电子学院 第一章 半导体中的电子状态 *重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 * 重 点 之 三: 本征半导体及其导电机构、空穴 §1·1 半导体的晶体结构和结合性质 KEY: 1、晶体结构: (1) 金刚石型 Ge、Si (2) 闪锌矿型 GaAs 2、化合键: (1) 共价键 Ge、Si (2) 混合键 GaAs 1、金刚石型结构和共价键 共 价 键 的 特 点 1、 饱和性 2、 方向性 正四面体结构 金刚石型结构{100}面上的投影 金刚石结构的结晶学原胞 Ge: a=5.43089埃 Si: a=5.65754埃 2、闪锌矿结构和混合键 化学键: 共价键+离子键 闪锌矿结构的结晶学原胞 3、纤维锌矿结构：ZnO、GaN、AlN、ZnS、ZnTe、CdS、CdTe……… KEY: * 电子的共有化运动 * 导带、价带与禁带 1 、原子的能级和晶体的能带(1)孤立原子的能级 (2)晶体的能带 四个原子的能级的分裂 N个原子的能级的分裂 由于电子的共有化运动加剧,原子的能级分裂亦加显著: s N个子带 p 3N个子带 出现准连续能级 金刚石型结构价电子的能带 对于由N个原子组成的晶体:共有4N个价电子 空带 ，即导带 满带，即价带 2 、半导体中电子的状态和能带 KEY：E(k)-k关系 研究显示，能量在K空间的表达式能够很好地描述和表征半导体的能带及材料特性，称为E-k关系。 波函数：描述微观粒子的状态 （1）自由电子 （2）晶体中的电子 对自由电子：说明电子在空间是等几率分布的，即自由电子在空间作自由运动。波矢k描述自由电子的运动状态。 （3）布里渊区与能带简约布里渊区与能带简图（允带与允带之间系禁带） 布里渊区的特征：（1）每隔1/a的k表示的是同一 个电子态；（2）波矢k只能取一系列分立的 值，每个k占有的线度为1/L； 关于E（k）- k的对应意义： （1）一个k值与一个能级（又称能量状态） 相对应； （2）每个布里渊区有N（N：晶体的固体 物理学原胞数）个k状态，故每个能 带中有N个能级； （3）每个能级最多可容纳自旋相反的两个 电子，故 每个能带中最多可容纳2N 个电子。 3、导体、半导体、绝缘体的能带 （1）满带中的电子不导电 E（k）= E（-k） v（k）=- v（-k） 而 I = q·n{1× [1×v（k）]} 有 I（+k）=-I（-k） 即是说，+k态和-k态的电子电流互相抵消 所以，满带中的电子不导电。 而对部分填充的能带，将产生宏观电流。 （2）导体、绝缘体和半导体的能带模型 （3）本征激发 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 本征激发。激 发 前： 导 带 底 Ec 价 带 顶 Ev 激 发 后： 这是导带电子 这是空的量子态 空穴 （3）空 穴空穴：将价带电子的导电作用等效为带正 电荷的准粒子的导电作用。 空穴的主要特征： A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； C、EP=-En 因此，在半导体中存在两种载流子：（1）电子； （2）空穴；而在本征半导体中，n=p。如下图所示： 空穴与导电电子 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量1、半导体中E（k）与k的关系 假设E（0）为带顶或带底，将E（k）在k=0附近展成泰勒级数： 由（3）式可以见到： (1)对于能带顶的情形，由于E（k）E(0),故 mn*0; (2)对于能带底的情形，由于E（k） (0), 故mn*0. 在能带极值附近的mn* - k关系 k 2、半导体中电子的平均速度 因此： k 3、半导体