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二次銅 9.1 製程目的 此製程或稱線路電鍍 (Pattern Plating)，(Panel Plating) 9.2 製作流程 　　目前二次銅作業幾乎都是以龍門式自動電鍍線為主，，.設備的基本介紹後面會提及.另外值得一提的是為迎合build up新式製程，buried hole， throwing power，，： (鉛) 9.2.0 Time table(時序圖)： ，，2，304，50，2~3部，，，RACK流程順序等一連串複雜的動作，， Time Table.拜PLC的功能愈來愈進步所賜，， 9.2.1 銅面前處理 　　 二銅製程之鍍銅前處理皆為In line process，.一般的流程為： 　　 此前處理的重點在於如何將前一製程-外層線路製作-所可能流在板面上的氧化，， scun等板面不潔加以處理， 9.2.2 鍍銅 9.2.2.1電鍍基礎 A. 法拉第定律 　第一定律─在鍍液進行電鍍時，(deposit)的金屬量與所通過的電量成正比。 　第二定律─在不同鍍液中以相同的電量進行電鍍時，其各自附積出來的重量與其化學當量成正比。 B. 電極電位 　　當金屬浸於其鹽類之溶液中時，其表面即發生金屬溶成離子或離子沉積成為金屬之置換可逆反應，直到某一電位下達到平衡。若在常溫常壓下以電解稀酸液時白金陰極表面之氫氣泡做為任意零值，將各種金屬對零值極連通做對比時，可找各種金屬對氫標準電極之電位來(NHE Standard Potential ， Normal Hydrogen Electrode)NHE比較排列而成電化學次序(Electrochemieal Series)或電動次序(Electromotive Force Series)。 　　以還原觀點而言，比氫活潑的金屬冠以負值使其排列在氫的上位，如鋅為-0.762，表示鋅很容易氧化成離子，不容易沉積成金屬，理論上至少要外加0.762V以上才能將之鍍出。即： 　　　 Zn + 2 e → Zn， - 0.762 V Cu + 2 e → Cu， + 0.34 V C. 過電壓(Overpotential)： 　在溶液中的帶電物體在平衡時會存在一定電位值，此電位值稱為平衡電位(E0)：當該物質產生一反應〔不論化學（氧化還原）或物理反應（擴散）等〕時，都必須賦予額外能量，這種能量在電化學的領域我們稱為給予的反應電壓叫作過電壓，其關係可以下式表示： 　　 η＝V(applied)-E° C-1 電鍍的過電壓： 　在電鍍過程中電壓主要表現分成下列三項： 　　η＝ηct+ηmt+IR----------------(1) 　　ηct：Charge transfer overpotential：電鍍反應的過電壓 　　ηmt：Mass transfer overpotential：質傳反應的過電壓 　　IR：溶液本身的電阻 　 對電路板而言孔與表面為等位面，因此ηs(surface)= ηh(Hole)，因此 　　ηs=ηh=ηsct+ηsmt+IRs=ηhct+ηhmt+IRh---------------(2) 　其中ηmt表示帶電離子藉Diffusion作用通過Diffusion layer所造成的電位差，其狀況可以下圖9.1表示圖9.1顯示的意義為在距離(δ)之外的溶液，其金屬離子濃度可視為定值，其數值與 整槽的平均濃度(C)相同。而在一定距離(δ)內，金屬離子濃度會逐漸下降，此一濃度下降的區稱為 Diffusion Layer，而δ值即為　Diffusion layer thickness；由於濃度梯度的存在(Concentration gradient)會消耗電能，此即為Mass transfer overpotential存在的原因，其大小可以下式表示： 　　ηmt＝（RT/nF）(I/iL)=0.082(J/JL)---------------------(3) 　其中J及JL分別代表電流密度及極限電流密度，而極限電流密度JL可以表達： 　　JL=(nFDCb/δ)=K(Cb/δ)--------------------------------(4) 　當系統選定(Cb)操作方式固定(δ)，JL值相對也就固定。但(δ)值會大攪拌及掛架不同而修正。 一般而言，板面因攪拌而(δ)變小；因此JLS很大而造成ηmts低，反之由於攪拌方向多和孔方向垂直；孔內因為金屬離子不易補充及攪拌不佳造成Cbh偏低及δ值偏高，JLh偏低ηmtL偏高(ηmthηmtsL)至於IR項是溶液電阻形成的電壓降，距離愈長降愈大；一般取板面的 IR=0，而孔內則為： 　　EIR=(J.L2/2Kd)-----------------------------------(5) 　　 J：電