NSA531在磁传感器中应用磁阻传感器的主要特性-纳芯微电子.PDFVIP

市场应用 NSA5311 在磁传感器中应用 磁传感器是传感器中应用最为广泛的门类之一，应用领域非常广泛。与温度、压力 或者流量等直接测量物理属性参数变化不同，磁传感器一般不是直接测量相关物理属 性 ，而是检测变化，或者由物体或事件引起的磁场干扰。因此，磁场可能带有与方向、 存在状态、选装、角度或电流等属性相关的信息，而这些信息将由磁传感器转换为电 压。少数磁传感器是完全测量磁场，例如指南针中测量地磁场。输出信号需经过一些信 号处理以转换为所需参数。显然，磁场分布取决于产生或干扰磁场的物体（即磁体、电 流等）或事件的距离和形式。因此在应用设计中，应始终考虑传感器和产生磁场的物体 这两方面的因素，这一点非常重要。尽管磁传感器的使用难度更大，但却能提供精确、 可靠的数据，而且无需使用物理端子。 磁阻传感器的主要特性 磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向 等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如 采用霍尔（Hall ）元件，各向异性磁电阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR ） 元件或巨磁电阻（Giant Magnetoresistance, GMR ）元件为敏感元件的磁传感器。 以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出 灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺 陷。AMR 元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以 AMR 为 敏感元件的磁传感器需要设置 Set/Reset 线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工 苏州纳芯微电子股份有限公司 电话：0512邮箱：sales@ 市场应用 艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以 GMR 元件为敏感元件 的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。 TMR （Tunnel Magneto Resistance ）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻 效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所 发现并实际应用的 AMR 元件和 GMR 元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧 道结（Magnetic Tunnel Junction ，MTJ ）来代指TMR 元件，MTJ 元件相对于霍尔元 件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的 聚磁环结构；相对于 AMR 元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范 围，不需要额外的set/reset 线圈结构；相对于 GMR 元件具有更好的温度稳定性，更 高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。下图是四代磁传感技术原理图。 下表是霍尔元件、AMR 元件、GMR 元件以及 TMR 元件的技术参数对比，可以更 清楚直观的看到各种技术的优劣。 灵敏度 工作范围 分辨率 温度特性 技术 功耗(mA) 尺寸(mm) (mV/V/Oe) (Oe) (mOe ） (℃) Hall 5 ～20 1×1 0.05 1 ～1000 500 ＜150 AMR 1 ～10 1×1 1 0.001 ～10 0.1 ＜150 GMR 1 ～10 2×2 3 0.1 ～30 2 ＜150 TMR 0.001 ～0.01 0.5×0.5 20 0.001 ～200 0.1 ＜200 TMR 主要特性 苏州纳芯微电子股份有限公司 电话：0512邮箱：sales@