微机电系统 中SU一8厚光刻胶 的 内应 力研 究.PDFVIP

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第卷第期光学精密工程年月文章编号微机电系统中一厚光刻胶的内应力研究杜立群朱神渺大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室辽宁大连摘要在对基片曲率法常用的公式进行必要修正的基础上提出了适合计算一胶层内应力的理论模型并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化通过仿真揭示了基片直径胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响仿真结果表明后烘温度是影响胶层内应力的主要因素实验测量了后烘温度分别为和三种条件下的一胶层的内应力结果表明降低后烘温度能有效地

第 15卷 第 9期 光学 精密工程 Vo1.15 NO.9 2007年 9月 OpticsandPrecisionEngineering Sep.2007 文章编号 1004—924X(2007)09—1377—06 微机电系统中SU一8厚光刻胶 的内应力研

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