第一性原理方法计算半导体硅的能带结构.pptVIP

目录 一、实验目的 二、实验内容 三、计算的硬件条件和软件条件 四、实验要求 五、实验步骤 六、实验报告要求 七、思考题 实验目的 1．学会构建硅原胞模型； 2．了解第一性原理计算方法； 3．熟悉计算结果中硅能带结构的分析。 实验内容 运用第一性原理计算软件VASP计算半导体硅能带结构。 计算的硬件条件和软件条件 1．硬件：计算终端－曙光天潮4000高性能计算集群，客户端－实验室PC机； 2．软件：VASP 4.6软件包，数值作图软件origin等 实验要求 1．学习晶体硅模型的搭建； 2．学习VASP程序输入文件的设置； 3. 学习计算结果EIGENVALE本征值文件的处理，学会用ORIGIN软件作图； 4. 要求学生独立完成计算，能够在计算过程中适当地了解一些科研过程，培养发现问题、分析问题和解决问题的能力； 实验步骤 1. 首先，用MS modeling软件构建硅原胞的模型。硅晶体是金刚石结构，在计算中采用的是它的原胞fcc结构，共含有两个硅原子； 实验步骤 2. 运行VASP需准备四个输入文件： INCAR KPOINTS POSCAR POTCAR 一个执行文件：vasp.pbs。 实验步骤 3. (1) 首先进行静态自洽计算 在输入文件INCAR中设置： SYSTEM = Si ！体系名称ENCUT = 400 ！设置截断能ISTART = 0 ！新的开始ICHARG = 2 ！按原子密度来构造初始电荷密度ISMEAR =0 ！采用高斯方法进行Smearing SIGMA=0.1 ! 收敛宽度EDIFF = 1E-6 ！控制总能的收敛标准PREC = Accurate ！计算精度控制 LREAL=.FALSE. ! 倒空间投影 LCHARG=.TRUE. ! 写出电荷密度 LWAVE=.TRUE. ! 写出波函数 实验步骤 KPOINTS文件： Auto 0 M ！采用自动的Monkhorst-Pack K点选取方式 4 4 4 0 0 0 POSCAR文件： Si 5.4 0.5 0.5 0 0 0.5 0.5 0.5 0 0.5 Selective dynamics Direct 0.00 0.00 0.00 T T T 0.25 0.25 0.25 T T T 赝势文件POTCAR，选用PAW-GGA中的PBE势 四个输入文件准备就绪后，键盘输入qsub vasp.pbs 命令， 就可运行VASP。 经过静态自洽计算，我们可以得到自洽 后的电荷密度文件CHGCAR和波函数分布文件WAVECAR (2) 接着进行硅能带结构的计算 INCAR文件中的一些设置需要改动： ISTART=1 ! 接着计算 ICHARG=11 ！保持静态自洽计算得到的电荷密 度和波函数不变 LCHARG=.FALSE. ！不写电荷密度 LWAVE=.FALSE. ！不写波函数 实验步骤 更改KPOINTS文件，在倒空间中采用线性撒点模式，选取一些高对称点： k-points along high symmetry lines 10 Line-mode rec 0 0 0 ！gamma 点 0.5 0.5 0.5 ！L点 0 0 0 ! gamma 点 0.5 0.5 0 ! K 点 准备就绪后，键盘输入qsub vasp.pbs命令，运行VASP 实验步骤 3.