第1章节 X射线物理学基础.ppt

并由光的干涉条件出发导出描述衍射线空间方位与晶体结构关系的公式（称劳埃方程）。 第一节 X射线的性质 第二节 X射线的产生与X射线谱 二、特征X射线 另外，因由L→K层电子跃迁几率比由M→K层约大5倍， 故Kα强度比Kβ高5倍左右。 一、X射线的散射 1、相干散射： 入射X射线与物质原子中内层电子作用， 当X光子能量不足以使电子激发时，将其能量转给电子，电子则绕其平衡位置发生受迫振动，成为发射源向四周辐射与入射X射线波长（振动频率）相同电磁波（即电子散射波）。 各电子散射波振动频率相同、位相差恒定，符合干涉条件，发生相互干涉，称为相干散射。 干涉的结果：散射波在某些方向上相互加强，在另一些方向上相互减弱或抵消，这是晶体中发生衍射的基础。 * 2）俄歇（Auger）效应 2）俄歇效应: 当K层电子被击出，原子处K激发态，能量为EK。若LⅠ层电子跃入K层填补空位。能量由EK→ELⅠ，且释放出多余能量。若能量被另一LⅠ电子或较外层电子所吸收，该电子受激发而逸出，即为俄歇电子。 ?光电子 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ° 俄歇电子? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ° 俄歇电子? KL1L1 LM1M1 EK EL1 EM1 入射X射线 * 2）俄歇(Auger)效应 俄歇电子能量有固定值，按上例近似为 光电子、俄歇电子和荧光X射线三种过程示意图 此具有特征能量的电子是俄歇（M. P .Auger）于1925年发现的，称为俄歇电子。 从L层逃出的叫 KLL 俄歇电子；也可存在 KMM 俄歇电子。 * 2）俄歇（Auger）效应 1、俄歇电子能量：只取决于该物质的原子能级结构，是一种元素的固有特征。 2、俄歇电子能量很低：只有几百eV，深处信号测量不到。 俄歇电子能谱仪：最合适对固体表面2～3层原子层的成分分析，并还可进行逐层分析。 3、轻元素：俄歇电子的发射几率比荧光X射线发射几率大。所以，俄歇谱仪适合于对轻元素的成分分析。 * 一、X射线连续谱 连续谱形成机理：用量子理论解释。 能量 e U 的电子与靶原子碰撞，电子失去部分能量，并辐射出光子，每次碰撞产生一个能量为ε＝hν的光子，称此辐射为“韧致辐射”。 如：当管流 i =10mA时，电子数目 n ＝6.24×1016 个/秒。 如此多电子到达靶上时间和条件都不相同，且多数电子须经多次碰撞，逐步把能量释放直到零，这样产生一系列不同能量 hνi 的光子序列，即形成连续谱。 故一般情况： 光子能量 hν ≤ e U 电子能量。 * 何以存在短波限λSWL？ 极限情况：光子能量 hν＝ e U 电子能量。即 极少数电子一次碰撞将全部能量转化为一个光子，此光子具有最高能量和最短波长（短波限λSWL）。即 将h ＝ 6.626×10-34 J·s ,c ＝ 2.998×108 m/s ，e = 1.602×10-19C 代入则有： ν－X射线频率； h－普朗克常数； c－ X射线传播速度 其中：U －单位为V（伏特），e－单位为C（库仑）。 * 何以存在强度极大值？ X 射线连续谱强度：指在垂直于X光传播方向的单位面积上，在单位时间内光量子数目的能量总和。 即由光子能量hν和数量n 两因素决定的。则： X光最高强度约在1.5λSWL处。 * 连续谱强度和光管效率 1）连续谱总强度：连续谱强度分布曲线下所包络的面积。 它取决于光管电压U 、电流 i 和靶材原子序数Z 。 式中：Z－阳极靶的原子序数； i－管电流（mA）； U－管压（KV）； K1－常数约为1.1～1.6×10-9。 * 光管效率 2）X光管效率：若X光管仅产生连续谱，输入功率为iU，则产生连续X射线效率或X光管效率η： 可见，管压越高，靶材Z越大，光管的效率η越高； 因此，要提高光管发射效率： ① 选用重金属靶，② 施以高电压，就是这个道理。 因常数 K1＝(1.1～1.4）×10-9 很小，即使用W靶（Z=74），管压为100kV，η≈1％（Cu靶为0.1％），故效率很低的。 * 二、特征X射线 一、特征X射线 1）当光管电压U 增高到大于阳极靶材相应的某个临界值UK时，即 则在连续谱某特定波长处出现一些强度高，窄而锐的特征谱峰。 如：Mo靶施加35kV，在0.063nm和0.071nm 处的特征线性谱线。 产生特征X射线的最低电压叫激发电压。 * 二、特征X射线 2）特征X射线波长λ：不受管电压、管电流的影响，只取决于靶材元素的原子序数Z，故称特征X射线。 特征X射线 改变管流、管压，特征