磁致电阻.docxVIP

磁电阻测量091120***摘要：本文阐述了各向异性磁电阻的实验原理及测量方法，分别测量了电流方向与磁场方向平行和垂直两种情况下电阻虽磁场的变化,最后对本实验进行了讨论。关键字：各向异性磁电阻，AMR曲线，四探针样品夹具，磁电阻的测量。引言：一般所谓磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。通常将磁场引起的电阻率变化写成Δρ＝ρ（H）－ρ（O），其中ρ（H）和ρ（O）分别表示在磁场Ｈ中和无磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为：绝大多数非磁性导体的MR很小，约为10-5%，磁性导体的MR最大约为3%～5%，且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻（AMR）。1988年，在分子束外延制备的Fe/Cr多层膜中发现ＭＲ可达50%。并且在薄膜平面上，磁电阻是各向同性的。人们把这称之为巨磁电阻（GMR），90年代，人们又在Fe/Cu、Fe/Al、Fe/Ag、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag和Co/Au等纳米多层膜中观察到了显著的巨磁电阻效应。1992年人们又发现在非互溶合金（如Fe、Co与Cu、Ag、Au等在平衡态不能形成合金）颗粒膜如Co-Ag、Co-Cu中存在巨磁电阻效应，在液氮温度可达55%，室温可达到20%，并且有各向同性的特点。图12.1-1为早期报道的Co-Cu颗粒膜磁电阻曲线。1944年，人们又发现Fe/Al2O3/Fe隧道结在4.2K的MR为30%，室温达18%，见图12.1-2。之后在其他一些铁磁层／非铁磁层／铁磁层隧道结中亦观察到了大的磁电阻效应，人们将此称为隧道结磁电阻（TMR）。目前ＭＲ室温达24%的TMR材料已制成，用TMR材料已制成计算机硬盘读出磁头，其灵敏度比普通MR磁头高10倍，比GMR磁头高数倍。20世纪90年代后期，人们在掺碱土金属稀土锰氧化物中发现MR可达103%～106%，称之为庞磁电阻（CMR）。目前锰氧化物CMR材料的磁电阻饱和磁场较高，降低其饱满和场是将之推向应用的重要研究课题。利用磁电阻效应可以制成计算机硬盘读出磁头；可以制成磁随机存储器（MRAM）；还可测量位移、角度、速度、转速等。磁电阻效应，特别是巨磁电阻效应的理论涉及较多的固体量子知识，CMR等尚未有比较完善的统一理论解释，这里不作介绍。本实验内容中涉及的测量磁电阻也纯粹是技术上的，不作物理细节上的深入划分。有兴趣的同学可参阅相关的文献、专著。?实验原理:1.各向异性磁电阻一些磁性金属和合金的AMR与技术磁化相对应，即与从退磁状态到趋于磁饱和的过程相应的电阻变化。外加磁场方向与电流方向的夹角不同，饱和磁化时电阻率不一样，即有各向异性。通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量AMR。即有Δρ∥＝ρ∥－ρ（O）及Δρ⊥＝ρ⊥－ρ（O）。若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽略，则ρ（O）与平均值ρav＝1/3（ρ∥＋2ρ⊥）相等。大多数材料ρ∥＞ρ（O），故AMR常定义为如果ρ０≠ρav，则说明该样品在退磁状态下有磁畴织构，即磁畴分布非完全各向同性。图12.1-3是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni81Fe19的磁电阻曲线，很明显，，各向异性明显。图中的双峰是材料的磁滞引起的。图12.1-4是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。2.多层膜的巨磁电阻巨磁电阻效应首次在Fe/Cr多层膜中发现。图12.1-5为这种多层膜的磁电阻曲线。由图可见，Fe/Cr多层膜室温下的MR约11.3%，4.2Ｋ时约42.7%。Co/Cu多层膜室温MR可达60%～80%，远大于AMR，故称为巨磁电阻，这种巨磁电阻的特点是：（1）数值比AMR大得多。（2）基本上是各向同性的。图中高场部分的双线分别对应于（MR）∥和（MR）⊥，其差值为AMR的贡献。该多层膜在300K和4.2K下分别为0.35%和2.1%，约为其GMR的二十分之一。（3）多层膜的磁电阻按传统定义MR＝[ρ（H）－ρ（O）／ρ（O）]×100%是负值，恒小于100%。常采用另一定义GMR＝[ρ（O）－ρ（H）／ρ（H）]×100%，用此定义数值为正，且可大于100%。（4）中子衍射直接证实，前述多层膜相邻铁磁层的磁化为反铁磁排列，来源于层间的反铁磁耦合。无外磁场时各层Ｍs反平行排列，电阻最大，加外磁场后，各层Ｍs平行排列，电阻最小。如图12.1-6所示。（5）除Fe/Cr多层膜外，人们已在许多系统如Fe/Cu、Fe/Al、Fe/Ag、Fe/Au、Fe/Mo、Co/Cu、Co/Al、Co/Ag、Co/Au、Co/Ru、FeNi/Cu等中观察到不同大小的GMR，但并不是所有多层膜都有大的磁电阻，有的很小，甚至只观察到AMR，如ＦFe/V多层膜。图12.1-7是NiFe/Cu/Co/Cu多层膜的室温磁电