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短沟MOSFET 的基本特性和理论分析 Ru Huang, IME, Peking University 拟缩小的参数 器件横向尺寸：W 、L 、金属宽度、接触孔尺寸 器件纵向尺寸：t 、x 、阱深等 ox j 电源电压：Vdd ，阈值电压Vth 金属互联的层数 晶片尺寸 实际的等比例缩小 器件的纵向尺寸缩小的慢 电源电压和阈值电压降低较慢 短沟MOSFET 的考虑 短沟效应 阈值电压rolling-off 穿通 DIBL （较高漏压下） 迁移率退化——薄栅氧 速度饱和 沟长调制效应 寄生源/漏电阻 热载流子效应 反型层电容及多晶硅耗尽效应（在C-V特性中已有讨 论） .…. Ru Huang, IME, Peking University 建模：弄清基本物理，改进原有的模型 考虑以上效应对MOSFET性能（主要是电流）的影响 通过Vth 、μ、v等参量表现出来 Ru Huang, IME, Peking University 短 沟 效 应 阈值电压漂移 沟道长度减小，Vth 降 低 阈值电压与沟道长度和沟道宽度的关系 Ru Huang, IME, Peking University 短沟效应 • 源/漏电荷共享 电荷共享模型：根据栅和源衬、漏衬pn结共同分享沟道 耗尽区电荷的概念解释Vth 的降低 Yau 电 荷 分 享 模 型 示 意 图 用Q `代替Q ，求得V b b ths ′ L +L   −X j  +2X dm −  Q qN X   qN X 1 1 1 b b dm  2L  b dm  L  X j  qN X F γC F 2φ +V b dm 1 ox 1 f sb X j  2X dm  F 反映了栅控耗尽区电荷在 F 1=−  1+ −1 1 l L  X  总耗尽区电荷中所占的比例  j  所以： V V =+2φ +γF 2φ +V (V) th fb f l f sb ∆Q Q X j  2X dm  V V 长沟 V 短沟 l b   ∆ ( ) − ( ) ⋅ 1+ −1 ,