第七章节 存储器、CPLD.ppt

学习完本章后，应该能做到： 1、阐明ROM 、 RAM的结构特点及其工作原理。 2、简述PROM、EPROM、EEPROM等概念。 3、简述SRAM、DRAM、地址、位、字等概念。 4、阐述位扩展、字扩展的方法，并熟练运用。 5、简述半导体存储器的应用。 存储容量：用来衡量存储器存放数据的能力指标， 指存储单元的总数。 存储单元的最基本的单位是位和字，字的位数叫字长，存储容量通常表示为“m字×n位”。 210=1024=1K（字位）， 220=1048576=1024K=1M（字位） 例：微型计算机中常用的2114型静态RAM的容量为1K×4 。 4116型动态RAM的容量为16K×1 。 2716型EPROM的容量为2K×8 。 存储速度：通常用存取周期来描述。存取周期是指从存储器开始存取第一个字到能够存取第二个字为止所需的时间。 例：微型计算机中常用的2114型静态RAM的读、写周期均为200ns，4116型动态RAM的读、写周期均为375ns。 只读存储器存入数据的过程，称为对ROM进行编程。 第七章 存储器、CPLD 第七章 存储器、CPLD 概述 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 可编程逻辑器件 存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。 由于要求存储的数据量往往很大，因而不可能将每个存储单元电路的输入和输出端象寄存器那样固定地引出。半导体存储器采用了按地址存放数据的方法，只有那些被输入地址代码指定的存储单元才能与输入/输出端接通，进行数据的读出和写入。 半导体存储器的分类（根据使用功能的不同） （1）只读存储器（ROM）（Read-only memory ） 。 （2）随机存取存储器（RAM）（Random access memory）。 概 述 半导体存储器的主要性能指标 半导体存储器的主要性能指标 7.1 只读存储器（ROM） 只读存储器，工作时其存储的内容固定不变。且只能读出，不能随时写入。工作时，将一个给定的地址码加到ROM的地址输入端，便可在它的输出端得到一个事先存入的确定数据。 ROM的分类 按存贮矩阵中器件类型 固定ROM-- PROM-- EPROM-- Flash Memory-- E2PROM-- 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 按写入方式 厂家装入数据，永不改变 用户装入，只可装一次，永不改变 用户装入，紫外线擦除 用户装入，电可擦除 高集成度，大容量 存储矩阵 三态缓冲器 地址译码器 数据输出 地址输入 ROM的基本结构 固定ROM主要由地址译码器、存储单元矩阵和输出缓冲器三部分组成。 字线 容量=字线×位线 位线 控制信号输入 存储 矩阵 字线 位线 二极管ROM—以4×4为例 存储 单元 1011 1110 0011 1100 译码器 输出缓 冲器 任何时刻只有一根字线为高电平。 三极管ROM和NMOS管ROM 有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,但是，只能改写一次，称为 PROM。 字线 位线 熔断丝 若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。 可编程ROM（PROM） （1） 用于存储固定的数据、表格 （2） 码制变换 ROM的简单应用 （3） 用户程序的存贮 （4） 构成组合逻辑电路 例 1 用ROM实现十进制译码显示电路。 m0 m1 m2 m9 … … 例 2 用ROM实现逻辑函数。 2/4线译码器 A1 A0 m0m1m2m3 D0 D1 D2 D3 7.2 随机存取存储器( RAM ) 随机存储器又称读写存储器 特点：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器。 分类: 按功能分 静态SRAM 、动态DRAM两类； 按所用器件分 双极型、 MOS型两种。 RAM的基本结构 存储矩阵 读/写 控制器 控制器 地 址 译 码 器 地 址 码 输 片选 读/写控制 输入/输出 入 入 例如：容量为256×1 的存储器 （1）地址译码器 8根列地址选择线 32根行地址选择线 32 ×8 =256个存储单元 译码方式 单译码 双译码 ---n位地址构成 2n 条地址线。若n=10，则有1024条地址线 --- 将地址分成两部分，分别由行译码器和列译码器共同译码 其输出为存储矩阵的行列选择线，由它们共同确定欲选择