课题七半导体三极管及基本放大电路.ppt

课题七 半导体三极管及基本放大;学习情境1 了解半导体三极管的;一、半导体三极管的基本结构与类;通常，按照结构的不同分为两种类;图7-1 三极管的结构与电路符;由图7-1可见，三极管有三个区;图7-1只是三极管结构的示意图;图7-2 常见三极管的外形;二、半导体三极管的基本工作原理;晶体管在电路中工作时，为了正常;通常晶体管在放大电路中的连接方;图7-3 晶体管在放大电路中的;半导体三极管具有的电流放大功能;图7-4 电流放大实验电路;外部直流电源Eb，EC为三极管;三、半导体三极管的特性曲线 ;（一）输入特性 ;如图7-5所示的3DG6输入特;由图7-5可见，和二极管的伏安;图7-5 3DG6输入特性曲线;（二）输出特性 ;图7-6 晶体三极管的输出特性;1.放大区 ;在UCE≥1 V以后，这些电子;2.截止区 ;3.饱和区 ;由于饱和区IC不随IB的增大而;在数字电路中，三极管常用做开关;四、三极管的主要参数 ;（一）电流放大系数 ，;当三极管工作在动态(有输入信号;由于三极管的输出特性曲线是非线;（二）集-射极反向截止电流IC;（三）集电极最大允许电流ICM;（四）集电极最大允许耗散功率P;可在三极管的输出特性曲线上作出;图7-7 三极管的极限损耗区;学习情境2 了解场效应晶体管;它除了兼有一般晶体管体积小、寿;根据结构不同，场效应管分成两大;晶体三极管（以下简称“三极管”;绝缘栅型场效应管也称“金属氧化;一、结型场效应管 ;它是在同一块N型硅片的两侧分别;结型场效应管可分为N沟道结型场;图7-8 结型场效应管的结构、;（二）结型场效应管的工作原理 ;电路如图7-9所示，由于栅源间;1.栅源电压uGS对导电沟道的;当uGS负值电压增加到其一数值;2.漏源电压uDS对漏极电流i;显然，在uDS较小时，沟道呈现;由于沟道电阻的增大，iD增长变;这时管子并不截止，因为漏源两极;图7-9 N沟道结型场效应管工;（三）结型场效应管的特性曲线(;在UGS(off)≤uGS≤0;2.输出特性曲线 ;（1）可变电阻区(相当于三极管;图7-10 结型场效应管的特性;二、绝缘栅型场效应管(MOS管;（一）N沟道增强型(MOSFE;图7-11 N沟道增强型MOS;（二）N沟道增强型（MOSFE;当栅源极加有电压时，若0＜uG;耗尽层中的少子将向表层运动，但;进一步增加uGS，当uGS＞u;图7-12 uGS的控制作用;2.漏源电压uDS对漏极电流i;图7-13 对漏极电流的影响;3.特性曲线 ;图7-14 N沟道增强型MOS;学习情境3 熟悉基本交流电压放;图7-15 共射基本放大电路示;图7-15是由NPN型管组成的;（1）三极管T。（2）基极偏流;二、共射基本放大电路的基本分析;静态时，电源VCC通过RB给三;图7-15为共射放大电路的直流;因为VCC≥UBE，所以;例7-1 在图7-16中，已;图7-16 共射放大电路的直流;（二）动态分析 ;放大电路有输入信号时，三极管各;1.三极管简化微变等效电路 ;从图7-17可以看出，三极管的;图7-17 三极管的简化微变等;2.放大电路的简化微变等效电路;放大电路交流参数的估算：求电压;从图7-18可以得到故;式中，负号表示输出电压与输入电;图7-18 共射放大电路的交流;例7-2 在图7-15中，;解：（1）在例7-1中已求出，;（2）放大电路的输入电阻Ri是;图7-19 共射放大电路的输入;（3）放大电路对负载而言，相当;而故Ro=RC在例7-2中，R;图7-20 共射放大电路的输出;（三）放大电路的图解分析法 ;图7-21 输出回路的图解分析;放大电路的输出回路应当满足 ;2.用图解法分析放大电路的动态;图7-22 用图解法分析放大电;上述图解分析时，是把放大电路的;图7-23 放大电路的交流负载;3.静态工作点对输出波形失真的;图7-24 静态工作点对输出波;（1）饱和失真。 ;学习情境4 了解分压式偏置放;为了稳定放大电路的性能，必须在;从电路的组成来看，三极管的基极;图7-25 分压式偏置放大电路;二、稳定静态工作点的条件 ;三极管的基极电位VB完全由VC;图7-26 分压式偏置电路的直;(2)VB＞UBE。发射极电位;三、分压式偏置电路的计算 ;基极电流的静态值为集电极与发射;（二）动态分析 ;图7-27 分压式偏置放大电路;因为在交流通路中电阻RB1与R;输入电阻为输出电阻为 ;例7-3 在如图7-25;解:(1)用估算法计算静态值。;基极电流的静态值为集-射极电