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- 2017-09-17 发布于江苏
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基于小波变换和维纳滤波的半导体器件1 /f 噪声滤波1. 引言1 / f 信号最早是在1925 年对真空管的研究中作为一种超低频噪音被发现和研究的,它具有非平稳性、自相似性、持久相关性和1 / f 类型的功率谱密度等特性,广泛地存在于各类半导体器件中[1,2].对于1 / f 噪声具体的产生机理以及影响1 / f 噪声的物理机理,前人针对晶体管、结型场效应管和金属氧化物半导体场效管等器件进行了深入而广泛的研究[3,4],而如何从1 / f 噪声中提取有用信号是在半导体器件的使用过程中经常遇到的问题,比如对用于信号调理的模拟电路而言,当有用信号的频率较低时,用于放大、滤波的半导体器件产生的1 / f 噪声是主要噪声,如果不能滤除,1 / f 噪声将直接导致输出信号的低频漂移.考虑到1 / f 信号的小波变换域特性,本文首先估计了1 / f 噪声的参数,提出对叠加了1 / f 噪声的有用信号进行提升小波变换,而后利用有限冲击响应( FIR) 型维纳滤波器处理每一个尺度下的小波变换系数,最后进行逆提升小波变换重建有用信号的方法.2. 1 /f 噪声及其小波变换域特性1 / f 噪声通常是以它的功率谱定义,如果半导体器件的某种噪声电压信号f( x) 的能量主要集中在低频阶段,其功率谱Sf( ω) 满足Sf( ω) = AIσωγ, ( 1)式中σ和γ是常数,A 是由器件结构决定的参数,I表
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