第5章mos反相器mos晶体管.pptVIP

半导体集成电路夏炜炜扬州大学物;MOSFET晶体管;MOS晶体管本节课主要内容 器;MOSFET;MOS晶体管的动作 MOS晶;MOS晶体管的符号源极(S)漏;无标题;非饱和区的电流方程;饱和区的电流方程 MOS晶体管;VDSID非饱和区饱和区VDS;VDSID非饱和区饱和区VDS;漏极栅极源极SiO2WLmnC;MOS晶体管的阈值电压-1Ec;MOS晶体管的阈值电压-2反型;MOS晶体管的阈值电压-3EF;MOS晶体管的阈值电压-4;VG﹥VTH+++++++++;影响MOS晶体管特性的几个重要;NMOS的IDS-VDS特性（;PMOS的IDS-VDS特性（;MOS管的电流解析方程（L〉1;源极(S)漏极(D)栅极(G);VTHVTHIDVGIDVG增;阈值电压的定义饱和区外插VTH;MOS管的跨导gm（饱和区）表;衬底偏压效应 通常衬底偏压VB;MOS管短沟道效应 IDS 正;耗尽层耗尽层Gate可控制的区;载流子的饱和速度引起的 Ear;速度饱和效应 ?(V/?m);Long Channel I-;Short Channel I;速度饱和效应 速度饱和效应导致;速度饱和Long channe;MOS ID-VGS Char;微小MOS晶体管的静???特性(沟;决定电流的主要因素当 VDS ;短沟道MOS晶体管电流解析式微;Subthreshold Co;n+n+p型硅基板