Si基Ge光电探测器的研制及性能分析_周志文.pdfVIP

第10卷 第3期 深圳信息职业技术学院学报 Vol.10 No.3 90 深圳信息职业技术学院学报 第10卷 2012年9月 Journal of Shenzhen Institute of Information Technology Sep. 2012 文章编号：1672-6332（2012）03-0090-05 【博士论坛】 Si基Ge光电探测器的研制及性能分析 周志文 , 叶剑锋, 贺敬凯 （深圳信息职业技术学院电子与通信学院, 广东 深圳 518172） 摘 要： 以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区，研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺，并对材料晶体 质量和器件性能进行表征分析 Ge薄膜是采用低温缓冲层技术在超高真空化学气相沉积系统上生长的 1 m厚Ge薄 。 。 μ 膜的表面仅出现纳米量级的岛，表面粗糙度只有1.5 nm。Ge薄膜的X射线衍射峰形对称，峰值半高宽低于 100 arc sec。 Ge薄膜中存在0.14%的张应变 Si基Ge光电探测器在-1 V偏压时暗电流密度为13.7 mA/cm2 在波长1.31 m处的响应 。 ， μ 度高达0.38 A/W 对应外量子效率为36.0% 响应波长扩展到1.6 m 以上 ， ， μ 。 关键词：光电探测器；锗 ；外延生长；张应变 中图分类号：TN364 文献标识码：A 硅基光子学的研究引起了人们的广泛关注，一 直入射，光的传输方向与PN结平面垂直，与光生 些关键器件如调制器[1]、激光器[2]以及光电探测器 载流子的运动方向平行；另一种是边入射，光的传 [3]等已经取得了重大进展。高性能的光电探测器在 输方向与PN结平面平行，与光生载流子的运动方 响应波段应该具备高响应度、低暗电流（噪声）等 向垂直。边入射结构的不足之处是入射光从侧面进 特点。室温下，硅的截止波长为1.1 μm，限制了Si 入器件的吸收区，入射光的对准和耦合比较困难。 在近红外波段1.3~1.55 μm的应用。Ge的禁带宽度 因此，采用的器件结构为垂直入射台面结构，如图 比Si小（0.67 eV vs 1.12 eV），在1.3~1.55 μm波段 1所示。P型欧姆接触层和本征吸收区为外延Ge薄 有较大的吸收系数，Ge材料成为硅基片上集成光电 膜，N型欧姆接触层为高掺杂的Si衬底，绝缘钝化 探测器的最佳选择[3-5]。 层为SiO2，金属电极为Al，入射光从器件表面垂直 然而，高性能Si基Ge光电探测器的制备面临很 入射。本征Ge的设计厚度为800 nm，P型Ge的厚度 多挑战。Ge与Si的晶格失配达4.2%，直接生长在Si 和掺杂浓度分别设计为200 nm和~1018 cm-3。N型 衬底上的Ge，表面起伏大，位错密度高。粗糙的表 Si（100）衬底的电阻率为0.012~0.018 Ω cm，对 · 面将增加器件的制作工艺难度；高密度位错将降低 应掺杂浓度为~2×1018 cm-3。 器件的性能（增加暗电流、降低响应度等）。在Si 衬底上外延生长位错密度低、表面平整的Ge薄膜并 不