吉林大学导体器件物理第一章.ppt

* * 半导体器件物理 吉林大学电子科学与工程学院刘海波 教授 liuhaibo209@163.commobile) 04310ffice) 唐敖庆楼D区457房间 半导体器件物理讨论群QQ号Semiconductor Physics 教 材 半导体器件物理 孟庆巨 刘海波 孟庆辉 编著 科学出版社(第二版) 2009年11月第六次印刷 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 国家精品课程主干教材 普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材 课程简介 半导体器件物理课程结合一些主要的、常见的半导体器件介绍了半导体器件的基本结构、基本工作原理、基本性能和基本制造工艺。 半导体器件物理课程是微电子、光电子、电子科学与技术等专业的主干专业基础课，是吉林大学国家重点学科微电子学与固体电子学硕士研究生入学考试科目。 半导体器件物理课程于2005年5月被评为吉林大学精品课程 2005年8月吉林省精品课程 2007年12月年被评为中华人民共和国教育部国家精品课程 讲授内容与学时 第一章 半导体物理基础 （4学时） 第二章 PN结 （12学时） 第三章 双极结型晶体管 （12学时） 第四章 金属-半导体结 （5学时） 第五章 结型场效应晶体管和肖特基势垒场效应晶体管 （5学时） 第六章 MOS场效应晶体管 （8学时） 第七章 电荷转移器件 （4学时） 第八章 太阳电池与光电二极管（4学时） 第九章 发光管与半导体激光器（4学时） 第一章半导体物理基础  能带中电子的态密度函数 1.态密度和态密度有效质量 对于自由电子： 半导体中，类似： 自由电子质量 导带： 导带电子状态密度有效质量 价带： 价带空穴状态密度有效质量 价带的状态密度随着电子能量的增加同样按着抛物线关系增大，价带顶附近，空穴能量越高，状态密度越大。 导带的状态密度随着电子能量的增加按着抛物线关系增大，导带底附近，电子能量越高，状态密度越大。 状态密度与有效质量有关,有效质量大的能带,状态密度也大。 费米狄拉克统计 1.电子占据能量为E的给定能态的几率 占据几率 占据几率 2.电子占据能量为E的给定能态的几率 在电子、空穴占据能量为E的给定能态的几率的费米狄拉克统计中，如果 指数项远大于1，则： 什么情况下可以使用波尔兹曼近似？ 将远大于定义为10倍，即 室温条件下， ，即： 1.7载流子的统计分布 导带电子浓度 价带空穴浓度 导带（底）的有效状态密度 价带（顶）的有效状态密度 1.7载流子的统计分布 经验公式， 为禁带宽度的温度系数； 外推到0K时的禁带宽度。 本征半导体（ Intrinsic semiconductor ） 所谓本征半导体，就是完全没有杂质和缺陷的半导体。导带中的电子都是由价带激发得到的，（只有导带和价带，禁带中没有杂质能级)，即半导体中共价键是饱和的、完整的。T0K时，电子从价带激发到导带，称为本征激发。若要求电子总数不变，必须导带中的电子浓度等于价带中的空穴浓度，即 在任何温度下,要求半导体保持电中性条件,同保持电子总数不变的条件是一致的。 表示本征半导体的费米能级。 当 , Ei 恰好位于禁带中央. 实际上NC和NV并不相等, 是1的数量级.所以Ei 在禁带中央上下约 为kT的范围之内. 1.7载流子的统计分布 质量作用定律 1.7载流子的统计分布 N 型半导体 P型半导体 本征半导体 n＝p （1-7-24） 于是 （1-7-25） （1-7-26） （1-7-27） 称为质量作用定律。利用 和 ，也可以把电子和空 穴浓度写成下面的形式