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2016电子陶瓷ch3(精简)
第三章 高介电容器瓷
3.1
§ 概述
3.2
§ 高介电容器瓷的介电特性
3.3
§ 高频电容器瓷的主要原料
3.4
§ 中高压陶瓷电容器瓷
1/67
§3-1 概述
1、电容器瓷分类：
低介（ε10，tgδ小） 装置瓷
高频
中介（ε=12~50 ，tgδ小）
（I类瓷）
高介（ε=60~200，tgδ小）
低频：高ε，较大的tgδ 强介陶瓷或称铁电陶瓷
（II类瓷）
III类瓷：超高ε 半导体陶瓷
2/67
§3-1 概述
2、对电容器瓷的一般要求：
①、介电系数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容
器，整机体积、重量减小
②、介质损耗小，保证回路的高Q （1/tgδ ）值。高介
电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。
③、对I类瓷，介电系数的温度系数α 要系列化。对II
ε
类瓷，则用ε随温度的变化率表示 （非线性）。
1 dε ε ε
−
α 25o C
I类瓷 ε II类瓷 TC
ε dT
ε
25o C
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§3-1 概述
④、体积电阻率ρ 高 （ρ 1012Ω·cm ）
v v
a、电介质陶瓷中存在漏电流：R=U/I
b、为保证高温时能有效工作，要求ρ 高
v
⑤、抗电强度E 要高
p
a、小型化，使Ε=V/d↑
b、陶瓷材料的分散性，即使ΕE ，可能
p
仍有击穿
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§3-2 高介电容器瓷的介电特性
3-2-1 高介电容器瓷的分类
§
3-2-2 α 值不同的原因
§ ε
3-2-3 混合法则
§
3-2-4 含钛陶瓷的介电性能
§
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