2016电子陶瓷ch3(精简).pdf

第三章 高介电容器瓷 3.1 § 概述 3.2 § 高介电容器瓷的介电特性 3.3 § 高频电容器瓷的主要原料 3.4 § 中高压陶瓷电容器瓷 1/67 §3-1 概述 1、电容器瓷分类： 低介（ε10，tgδ小） 装置瓷 高频 中介（ε=12~50 ，tgδ小） （I类瓷） 高介（ε=60~200，tgδ小） 低频：高ε，较大的tgδ 强介陶瓷或称铁电陶瓷 （II类瓷） III类瓷：超高ε 半导体陶瓷 2/67 §3-1 概述 2、对电容器瓷的一般要求： ①、介电系数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容 器，整机体积、重量减小 ②、介质损耗小，保证回路的高Q （1/tgδ ）值。高介 电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。 ③、对I类瓷，介电系数的温度系数α 要系列化。对II ε 类瓷，则用ε随温度的变化率表示 （非线性）。 1 dε ε ε − α 25o C I类瓷 ε II类瓷 TC ε dT ε 25o C 3/67 §3-1 概述 ④、体积电阻率ρ 高 （ρ 1012Ω·cm ） v v a、电介质陶瓷中存在漏电流：R=U/I b、为保证高温时能有效工作，要求ρ 高 v ⑤、抗电强度E 要高 p a、小型化，使Ε=V/d↑ b、陶瓷材料的分散性，即使ΕE ，可能 p 仍有击穿 4/67 §3-2 高介电容器瓷的介电特性 3-2-1 高介电容器瓷的分类 § 3-2-2 α 值不同的原因 § ε 3-2-3 混合法则 § 3-2-4 含钛陶瓷的介电性能 §