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静电基础 静电基础 静电基础 - ESD Technology - - ESD Technology - - ESD Technology - Table of Contents 1. 静电不良事例 2. 静电基本理论 ‧由于静电(ESD)引起的不良占 26% 3. 静电管理的基本对策 ‧ IC中 C-MOS 系统等 CLASS 1的情况下由于静电 引起的破坏占全体的 50~60% 4. 防静电产品的管理POINT ‧工程的不品不良中半导体不良为 80% , 其中 25~30%为静电引起的不良, IC的构造中脆弱的 部位即酸化绝缘膜的破坏不良 静电– Static Electricity 靜 電 防 護 • 两个物体的接触，摩擦，剥离等发生后，带电物体表面静止 的电荷 • Q = CV ( Q: 全体带电电荷量, C: 静电容量, V: 接触电位差 ) • 导体及绝缘体都会引起‘+’ 或‘-’的带电 • 导体情况下固有阻抗小，接地的话可以很快放电 • 绝缘体的情况下接地不可能. 通过其它物体的间接接地的话，可以看到带电现象引起的静 电进行放电，间接物体再次分离的话，静电又重新产生 -2- 更新版 静电发生原理(1) 靜 電 防 護 • 互相密着在一起的物体 相互分离时 • 由于两个物体的相互摩擦 ，引起接触位置移动，电 荷分离发生 -3- 更新版 静电发生原理(2) 靜 電 防 護 物理的接触引起的带电 • 所有物体的原子是由 (+) 性质的原子核和周围旋转的 (-) 性质的电子组成，电荷处 于均衡状态，某个时候2个物体互相接触时，均衡被打破，静电发生 物体A 原子间的距离单位在Å以内，接近时象 물체 A 旁边的图一样原子最外侧的旋转电子 为自由往来状态(脱离程度随物质不同) 这个时候两个物体分离，失去(-)电子的 전자의电子的移动이동 一侧原子核的(+)数比电子的(-)数多， 因此(+)带电，(+ 静电带电), (-)电子 更多得到的一侧，由于 (-)电子数 更多所以(-)带电. 물체 B 物体 B (- 静电带电.) -4- 更新版 静电发生原理(3)