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MMIC发展背景及趋势 李 芹 MMIC简介  单片微波集成电路,是在半绝缘半导体衬底上用一 系列的半导体工艺方法制备出无源和有源元器件, 并连接起来构成应用于微波(甚至毫米波)频段的功 能电路,具有尺寸小、重量轻、性能高、可靠性强 等一系列优点。  单片微波集成电路包括：低噪声放大器(LNA),功率 放大器,混频器,上变频器,检波器,调制器,压控振荡 器(VCO),移相器,开关,MMIC收发前端,甚至整个发 射/接收(T/R)组件(收发系统). MMIC简介  根据制作材料和内部电路结构的不同， MMIC可以分成两大类：一类是基于硅晶体 管的MMIC，另一类是基于砷化镓场效应管 （GaAs FET ）的MMIC  GaAs FET的MMIC具工作频率高、频率范围 宽、动态范围大、噪声低的特点，但价格较 贵  硅晶体管的MMIC性能优越、使用方便，而 且价格低廉，因而应用非常广泛. MMIC简介  MMIC开始主要应用于军用系统，如相控阵雷达、火箭 与导弹的制导和电子对抗等系统。MMIC 的采用，显著 减少了设备的体积和重量，降低价，提高了性能，取得 了很好的效果，例如在海湾战争中，美军灵巧武器中就 已泛地采用了MMIC与MIMIC 。  90年代以来，MMIC在商用产品中开拓了广阔的市场。 这主要是商用无线通信市场，它包括：语音、数据，图 文与图像的各种通信，例如，蜂窝式个人通信，低轨道 卫星移动通信，无线局域网，环球定位卫星系统，卫星 直播电视和多点多址分布系统等。  另一个重要的市场则是智能交通系统，它包括：车上移 动通信，环球卫星位，道路交通状况的监测，汽车防撞 毫米波雷达等。 MMIC技术中的常用工艺与器件  微波、毫米波半导体器件通常分为二端器件和三端 器件两大类。国外二端器件（除少数毫米波 IMPATT外）在20世纪70年代中期至80年代初就已 相当成熟，各种检波管、混频管、变容管、PIN管、 噪声管、耿氏管和崩越管等都早已陆续商品化和系 列化  三端器件，近年来获得很大的发展，首先是GaAs MESFET 的输出功率增长极快，在微波各领域得到 了日益广泛的应用 MMIC技术中的常用工艺与器件  由于分子束外延（MBE ）、金属有机汽相淀积（MOCVD ） 等高质量超薄层生长技术以及亚微米微细加工技术的发展 与进步，使1980年问世的高电子迁移率晶体管（HEMT ） 在结构上获得了不断创新，其频率、功率和低噪声性能大 大提高，成为微波和毫米波器件的重要成员之一  GaAlAs/GaAs外延生长技术的成熟，使1957年就提出的 GaAs异质结双极晶体管（HBT ）得以实现，且其性能不断 提高。HBT在较高微波频率下具有Si双极晶体管在微波低 端相似的性能，特别适合微波、毫米波功率应用 GaAs器件的优点 2  在GaAs中，传导电子迁移率（~6500cm /V·s) 比 2 Si中(~1200cm /V·s)大5倍，电子峰值漂移速度 6 6 （2 ×10 ~8 ×10 cm/s) 比Si中大1倍，所在寄生 电阻较小，跨导较大，电子在高场内渡越时间 较短。因此GaAs器件可获得比Si更高的工作频 率和放大增益，从而可能将双端口固态器件向 毫米波扩散 GaAs器件的优点  Si、Ge材料本征电阻率不高，而GaAs有源层可 7 生长在自身电阻率大于10 Ω·cm的半绝缘衬底 上，高电阻率衬底可把器件的有源区(例如 GaAs MESFET中的导电沟道)隔离开，因而在 微波单片集成电路中,无需采用诸如反偏置结这 样的隔