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中文摘要(及關鍵字) 　　單晶電感器被廣泛地使用在CMOS RF 電路中，例如低雜訊放大器(LNA)、壓控振盪器(VCO)與功率放大器(PA)等。而品質因子Q一直是電感器的重要特性之一，因為Q值將有效地影響RF電路的效能，例如LNA的增益／功率比值，和VCO的相位雜訊等等。但是在標準CMOS製程上的螺旋電感器將會遭受到CMOS基底與薄金屬層的損耗，而造成低Q值之問題。因此，在CMOS標準程序上實現高Q值的螺旋電感器已經成為現今CMOS RF研究領域的重要挑戰之一。而最近幾年，關於堆疊螺旋電感器的論文相繼被提出後，已經證實可以改善傳統平面螺旋電感器的Q值，更藉以提高RF電路的效能。本篇報告擬使用TSMC 1P5M 0.25um CMOS製程技術進行設計與實現新型堆疊電感器。 關鍵字: 3-D小面積電感器、傳統堆疊電感器、 品質因子Q。 Abstract Monolithic inductors are widely used in CMOS RF circuits, such as the low-noise amplifier(LNA), voltage-controlled oscillator(VCO), and power amplifier. One of the most important characteristics of the indu