微机原理与接口技术第5章(5.1--5.4.1).pptVIP

第5章 存储器 5.1 概述 5.2 随机存储器（RAM） 5.3 只读存储器（ROM） 5.4 存储器与CPU的连接 5.1. 概述 存储器就是用来存储程序和数据的，程序和数据都是信息的表现形式。按照存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存储器（简称内存，又称主存储器）和外存储器。存储器的容量越大，记忆的信息也就越多，计算机的功能也就越强。 5.1.1 存储器的分类 1．RAM的种类：静态RAM和动态RAM 2．ROM的种类： 1）掩膜ROM； 2）可编程的只读存储器PROM； 3）可擦除的EPROM； 4）电擦除的PROM； 5）快速擦写存储器Flash Memory 又称快闪存储器 5.1.3 主要技术指标 1．存储容量 存储器容量=存储单元数×每个单元的位数 SRAM芯片6264: 8K × 8 DRAM芯片NMC41257: 256K×l 2．存取时间 CPU给出有效的存储器地址启动一次存储器读／写操作，到该操作完成所经历的时间。 3．存取周期 连续启动两次独立的存储器读／写操作所需的最小间隔时间，对于读操作，就是读周期时间;对于写操作，就是写周期时间。 4．功耗 每个存储单元的功耗，单位为微瓦／单元(μW／单元)。也有给出每块芯片总功耗的，单位为毫瓦／芯片(mW／芯片)。 5．可靠性 用平均无故障时间来描述 5.2 随机存储器（RAM） 5.2.1 静态RAM 5.2.2 动态RAM 5.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 T1截止T2导通的状态(称为“1”状态) T1导通T2截止的状态(称为“0”状态) 5.2.2 动态RAM  1．动态RAM的存储单元（单管动态存储电路） 8253的内部结构示意图 计数器内部逻辑图 8253的引脚信号图 （a）方式0-正常计数 （b）方式0-GATE信号的作用 （c）方式0-计数过程中改变计数值 （a）方式1-正常计数 （b）方式1-GATE信号的作用 （c）方式1-计数过程中改变计数值 （a）方式2-正常计数 （b）方式2-GATE信号的作用 （c）方式2-计数过程中改变计数值 * * 微 机 存 储 系 统 的 层 次 结 构 图5-1 存储器的逻辑结构示意图 返回本节 半导体存储器的分类 存储器的基本组成 返回本节 返回本节 返回本章首页 6管静态RAM基本存储电路 返回本章首页 静态RAM内部结构示意图 SRAM6264引脚图 地址线13条， 即A12～A0； 数据线8条即I/O8～I/O1 图5-8 单管动态存储电路 单管DRAM基本存储元电路 Intel 2164DRAM芯片引脚及内部结构图 掩膜式ROM机构示意 熔丝式PROM的基本存储结构 （a)EPROM的基本存储结构 (b)浮置栅雪崩注入型场效应管 EPROM的基本存储电路和FAMOS结构 （a）功能示意图 （b）引脚图 Intel 2764的引脚和功能示意图 2764读方式的时序图 2764的编程和编程检查时序图 2864A E2PROM的引脚 SRAM读周期时序图 SRAM写周期时序要求 存储器的为扩充 线选法 （a）用门电路全译码 （b）用译码器全译码 全译码 部分译码 *