1 半导体器件基础.DOCVIP

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2017-09-27 发布于天津
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半导体器件基础由理论分析可知二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示式中为流过二极管的电流为加在二极管两端的电压称为温度的电压当量与热力学温度成正比表示为其中为热力学温度单位是是电子的电荷量为玻耳兹曼常数室温下可求得是二极管的反向饱和电流直流等效电阻直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压与流过二极管的直流电流之比即的大小与二极管的工作点有关通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻不过应注意的是使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同其原因是二极管工作点的位置不同一般二极管的正向直流电阻在几

7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为VT = kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602×10-19C；k为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J／K。室温下，可求得VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻RD 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比，即