第三课:射频集成电路测试技术研究-S参数-P1db-OIP3.pdfVIP

第三课:射频集成电路测试技术研究-S参数-P1db-OIP3.pdf

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射频集成电路测试技术研究 摘要:射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RFIC 的性能具 有相当的难度。本文以射频低噪声放大器(LNA)为例,运用微波理论,分析了RFIC 典型参数,如S 参数、带宽、P1dB、OIP3 以及噪声系数等的测试原理和测试方法,并对影响RFIC 性能测试的主要因素进行了分析。最后,给出了一种LNA 电路的测试 结果。 关键词:射频集成电路;低噪声放大器;微带线;阻抗匹配;集成电路测试 引言 射频集成电路(RF IC)已广泛应用于无线通信、雷达等电子系统中的发射机和接收机中。由于RF IC 工作频率高,对RF IC 的 性能进行准确的评估,具有相当的难度。它要求工程师不但要具备专业的高频电子线路知识,更重要的是,还必须具有丰富的高 频调试经验。目前,国外已有成熟的RF IC 测试仪器和测试设备,但是,在国内基本上还是一片空白。因此,对RF IC 的测试理 论和测试方法,以及测试中的影响因素进行研究,具有重要的实践意义。本文以一种LNA 电路为例,研究了RF IC 典型参数的测 试原理和测试方法,并分析了影响RF IC 测试的主要因素。 表征 RF IC 的典型参数 表征RF IC 的典型参数有:增益G(S21)、增益带宽、回波损耗S11 和S22、反向隔离S12、1dB 压缩点P1dB,输出三阶互调 节点OIP3 和噪声系数NF 等。其中,S 参数(S11、S12、S21、S22)表征该RF IC 的增益和匹配情况;P1dB 和OIP3 表征RF IC 的线性度;NF 表征RF IC 的抗干扰能力。在实际测试中,不同类别的RF IC 可能还有一些其他表征参数,但其测试基本相同, 本文不再赘述。 PCB 布线理论 根据微波理论,在频率进入RF 频段以后,传输线用微带线比较容易实现。为了使器件具有最大的功率输出,要求输入、输出必须 共轭匹配。即输入必须是50 欧姆微带线与信号源匹配,输出是50 欧姆与输出负载匹配,这样能达到最佳的传输效果。在实际 的测试系统中,电源的偏置部分要注意电容滤波和电感值的选取。 微带线由介质基片一边的导体带和基片另一边的接地板构成。图 1 是一种微带线结构。图中,h 表示基板的厚度,t 是铜铂的厚 度,E 为基板的介电常数。微带线的厚度t 与基板厚度h 相比可以忽略(t/h01005)。 r 图1 微带线结构 在微带线中,传输的主模是准TEM 波。其高次波型是波导波型和表面波型。由于介质基片有吸引磁场的能力,故电磁场在介质 表面以外随微带高度h 呈指数规律很快衰减。为了抑制微带线的高次波,应适当选择微带的尺寸和材料,同时,避免和表面波产 生强耦合。另外,为了减小场的衰减,应使用介电常数大而合适的介质基板。微带线的计算如下: 当w/h1 时,特性阻抗Z : 0 式中, 当w/h1 时,特性阻抗Z : 0 式中, 假定微带线无限薄,如果w/h≤2,那么 式中, 由此,可以反算出50Ω微带线的准确宽度。 如果w/h≥2,那么 在实际的工程中,假设微带线的厚度为0 是不正确的,因此,必须对前面的微带线宽度进行修正。铜带非零厚度的影响近似为导 体有效宽度weff 的增加,因此,将有更多的边缘场产生。weff 近似为微带线的有效宽度。 式中,t 是导体的实际厚度,如果 由此,可以计算出微带线的真正阻抗值,在工程中也是可以实 现的。 PCB 布线过程中,根据不同的截止频率,其微带线的宽度略有差异,需根据实际要求选取。另外,在PCB 焊接过程中,要注意焊锡 的控制,不要让其他的介质附着在微带线上,以免影响其性能。 典型参数测试原理及测试方法 S 参数 在射频和微波频段用得最多的就是S 参数。S 参数也称散射参数,表示事物分散为不同的分量,散参数就是描述其分散的程度和 分量的大小。在电子系统中,它有两个分量:入射波和反射波,因此,S 参数是基于入射波和反射波之间关系的参数。S 参数在射 频段很容易测量,特别适合于微波段的系统设计和测量。 图2 是RF IC 的S 参数测试方案。通过网络分析仪的双端口,将RF IC 的输入、输出联系起来,直接通过网络分析仪,读取该 器件的S 参数以及器件的带宽。在实际测试以前,应当注意网络分析仪的扫频范围,输入功率的衰减是否正确。然后,用直通、 开路、短路和50Ω负载校准。 图2S 参

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