氮化镓功率器件介绍-高频高效率应用.pdf

GaN 与Si在电路上的对比 氮化镓材料MOSFET -HEMT 管 性 极 特 二 管 内 极 体 二 无 有 镓 但 化 氮 硅材料MOSFET/ Cool Mos 氮化镓MOS发热源: MOSFET发热源: 1,Rds(on)损耗, 1,Rds(on)损耗 2, 开关损耗（硬开关模式CCM), 2，极其小开关损耗，不足Si管 1/10 3, 只有54nC反向恢复损耗，不足Si管的 3,体内二极管反向续流损耗, 1/100损耗 4,死区损耗(软开关模式,DCM). 4，超低的结电容保证较小的死区损耗. 开关损 明显小于 耗对比 左边 120nS 400nS ) ) V A ) ( ( V 死区损 s r ( V p s 耗对比 I V DT DT t (μs) t (μs) Cool‐Mosfet 与氮化镓Mos对比 Parameters IPA60R160C6  TPH3006PS  Cool‐Mosfet 氮化镓 VDS 600V @ 25 ⁰C 650V (spike  rating 750V ） 等同Rds(on)对比 Static RDS (25 ⁰C)