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碳化硅晶体产业进展及在LED产业中的应用_彭同华
2014 ·LED 配套材料产业发展交流对接会 中国·海宁
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2014·LED配套材料产业发展交流对接会
碳化硅晶体产业进展及在LED
碳化硅晶体产业进展及在LED
产业中的应
产业中的应
彭同华 陈小龙
北京天科合达蓝光半导体有限公司
中国科学院物理研究所
2014/04/25 · 浙江海宁
报告内容
报告内容
SiC性能优势与市场应
SiC晶体产业进展
SiC晶体在LED产业中应
天科合达公司研发进展
36
2014 ·LED 配套材料产业发展交流对接会 中国·海宁
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SiC材料的特性与优势
1、高热导率
• Si的3倍、GaAs的10倍
2、高击穿电场
• Si的10倍、GaAs的5倍
3、高饱和电子漂移速率
• Si的2倍
4、抗辐照、化学稳定性好
• 工作温度~600 ℃
5、与GaN相近的晶格常数
和热膨胀系数
SiC是电力电子器件的理想衬底
低的开启电阻、高的击穿电压、高的热导率、高的工作温度
降低开关损耗、降低冷却需求、器件小型轻量化、提升系统
整体性能
降低开关损耗
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