第11章-金属化工艺.pdf

半导体制造技术导论（第二版） 第十一章 金属化工艺 白雪飞 中国科学技术大学电子科学与技术系 提纲 • 简介 • 导电薄膜 • 金属薄膜特性 • 金属化学气相沉积 • 物理气相沉积 • 铜金属化工艺 • 安全性 2 简 介 金属化 • 金属化 – 一种添加工艺过程，将金属层沉积在晶圆表面 – 要求：低的电能损耗、高抗电迁移能力、低的薄膜应力、稳定的机械性 和电特性、优越的抗腐蚀能力、易沉积、易刻蚀、易化学机械研磨 • 金属薄膜 – 铝、铝硅合金：金属互连 – 钨：接触窗和金属层间接触窗孔填充 – 钛、氮化钛：钨金属沉积工艺阻挡层和附着层，防止钨扩散和薄膜脱落 – 铜、铝铜合金：金属互连 – 钽、氮化钽：铜金属互连工艺阻挡层 – … … 4 铝铜互连集成电路芯片 铝铜互连集成电路芯片截面图 5 铜/低互连集成电路芯片 铜/低互连集成电路芯片截面图 6 集成电路制造工艺流程 集成电路制造工艺流程 7 导电薄膜 多晶硅 • 应用 – 栅极、局部互连线 • 工艺 – LPCVD工艺，源材料SiH 、SiH Cl ，550~750 ℃ 4 2 2 – 可以在临场沉积期间通过后续的离子注入大量掺杂硼、磷、砷 9 金属硅化物 • 应用 – 减小多晶硅互连电阻，提高电路速度 • 金属硅化物材料 – 硅化钛(TiSi ) 2 • 自对准金属硅化物工艺形成，钛溅射沉积在晶圆表面，再经过加热退火工艺 – 硅化钨(WSi ) 2 • WF 和SiH 为源材料的加热CVD工艺 6 4 – 硅化钴(CoSi ) 2 • 180nm~90nm工艺节点，自对准金属硅化物工艺形成 – 硅化镍(NiSi) • 60nm~10nm工艺节点，自对准金属硅化物工艺形成，显著降低退火温度 – 镍铂硅化物 • 镍靶材中加入铂并溅射到晶圆表面，解决硅化镍侵蚀硅衬底的缺陷 10 钴金属硅化物自对准工艺 钴金属硅化物自对准工艺示意图 (a) 钴沉积；(b) 硅化物退火；(c) 钴湿法刻蚀和第二次退火 11 铝 • 应用 – 铜成为互连工艺主流之前，铝用作金属连线，易于进行干法刻蚀 – 离子注入工艺引入之前，铝用作栅极和连线材料 • 铝合金