单极PFC原理和应用.pdf

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单极PFC-原理图 TPH3006PS TPH3206PS TPH3002PS TPH3202PS DS2 CS2 TPH3205WS L1 LS TPH3206LD L1 D1 + + TPH3202LD VIN DS1 C1 CS1 Q1 单极PFC通常工作在CCM硬开关模式。 此时要求开关损耗小。 氮化镓由于它超低的米勒电容Qgd使它 的开关损耗大大降低。 硅材料FET /cool mosfet 氮化镓 硬开关电路上的Vds开关损耗对比,氮化镓有明显优势 但LLC是软开关,这部分电路上损耗几乎一样。 氮化镓 氮化镓FET – HEMT 1,氮化镓与传统的硅MOS不一样,体内没 有形成PN结,即没有体内二极管,故没 有反向恢复的问题。 2,D,S间的导体是通过中间的电子层导 通,双向可导通,即常开/Normally On 3,当G极加负压时D,S间关断。实际应用 不方便(需加负压) 解决的办法,就是在体内串加一个30V的低压 MOSFET解决0V关断5V导通,因此成品体内实 氮化镓是采用水平结构,通过电子层导 际有两个管子,资料上的反向恢复时间均与此小 通没有形成P/N结,同时最下方是衬 底 MOSFET上的二极管有关。 氮化镓FET与Cool‐Mosfet对比 等同Rds(on)对比,相同条件 Cool mosfet 氮化镓FET Parameters IPA60R160C6 TPH3006PS ⁰ Static VDS 600V @ 25  C 600V (spike 

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