第4章离子注入_6.pdf

本章内容 第 4.1 离子注入装置 四 章 4.2 注入离子的射程分布 离 4.3 离子注入的损伤和退火效应 子 注 4.4 离子注入的沟道效应 入 4.5 离子注入在MOS IC 中的应用 4.1 离子注入装置 1952年美国贝尔实验室利用20-30 4.1.1 离子注入技术简介 kev 的氢离子，轰击温度为300-400 ℃的 离子注入：将某种元素的原子进行电离， 硅单晶片，结果改善了接触型二极管的 并使其在电场中进行加速，获得一定的 特性，做出了具有短波长响应的太阳能 速度后射入固体材料表面，以改变这种 电池。1954年又提出了用离子注入法制 材料表面的物理或化学性能的一种技术。 作P-N结的专利，并预计到采用这种方 法制作基区很薄的高频晶体管。 离子注入与热扩散法 离子注入与热扩散法 但是，由于当时对高速离子轰击所造成的 晶格缺陷缺乏认识，另外热扩散技术在半 ● 离子注入可以通过分别调节注入离子 导体制造工艺方面获得了很大的成功，所 的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和 以人们的兴趣都转向热扩散法，致使离子 浓度，所以可以制备理想的杂质分布。 注入技术的发展在一段时间内受到一定的 阻碍。随着对电子器件性能要求的提高、 热扩散法一些弱点的暴露，因而人们再次 注意到离子注入。六十年代得到迅速发展。 ● 热扩散法对于这两个量都不能独立控 ● 扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系 制，特别是浅结制作中，热扩散是很难实 数及固溶度等方面的限制，而离子注入是 现的，而离子注入则可以保证掺杂的精确 一个物理过程，所以它可以注入各种元素。 性和重复性，片内的掺杂均匀性可以控制 ● 扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺 在3% 以内，片与片之间的均匀性也能达 杂可以在高温下进行，也可以在室温下或 到5% 以内。 低温下进行，这样可以减少高温过程对器 件产生的不良影响。 ● 热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行 ● 离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避 横向扩散，两者几乎一样，而离子注入的 免有害物质进入硅片。 横向扩散很小。 ● 热扩散时只能采用SiO 等少数耐