第8讲 直流安定化电源(直流稳压电源).ppt

第8章　直流安定化電源 （直流稳压电源） 2、V- I 特性（伏安特性） 2、V- I 特性（伏安特性） 発光ダイオードの写真 整流特性? 　整流性： 電流を一方向にしか流さない特性 バイアス bias 点接触型多为锗管，它的PN结结面积很小，因此不能通过较大电流，但其高频性能好，一般适用于高频和小功率 的工作，也用作数字电路中的开关元件 ； 面接触型（一般为硅管），它的PN结结面积大，因此能通过较大电流，但其工作频率较低，一般用作整流元件 ダイオード　diode 死区（OA段）硅管约 0.5 V，锗管约 0.2 V； 锗管的正向电阻小于硅管 スレッショルド電圧　threshold voltage；閾値電圧（いきちでんあつ） 死区电压、阈值电压 理想的なダイオードの条件としては，(1) 順方向の立ち上がりが限りなく０Ｖに近い。(2) 順方向の傾斜が急峻。（抵抗が小さい）(3) 逆方向には電流が流れない。が挙げられます。 If：又称最大整流电流。指二极管长期使用时，允许通过的最大正向电流的平均值 嵌位二极管 クランプダイオード clamp diode　 隔離（かくり） 限幅电路 クリップ回路、クリッパ回路clipping circuit、 clipper circuit 通过“思考”过渡到整流.该例可放在第二次课的开头 整流 とは、交流を直流に変換することです 整流 順変換（じゅんへんかん）、整流（せいりゅう）コンバータconverter 逆变 逆変換（ぎゃくへんかん）、インワータinverter 提醒学生：注意此时D2和D4承受反压为-u2 强调截止的二极管承受反压，值为u2 次の半サイクルでは、この状況はちょうど逆になる。すなわち、ＯＮであったダイオードはＯＦＦになり、ＯＦＦあったダイオードはＯＮ状態になる。 一つ一つの素子を個別素子と呼ばれている 平滑回路の働きは電圧のピーク時にコンデンサに蓄え，逆に電圧の 0 の時にはコン. デンサから流れ出すことで電圧を一定に保つ働きをしている 定電圧ダイオード（ていでんあつ）；ツェナー?ダイオード　zener diode ツェナーダイオードは、電気回路に供給される電圧を安定化するためによく使われている。非安定の電圧源と並列に逆バイアスになるように接続し、その電圧が降伏電圧を超えた時にツェナーダイオードが働き、その電圧で維持される。 Uz：指稳压管在正常工作范围内工作时两端的电压。由于该值随电流和温度的不同而略有差异，手册中给出的Uz是在一定条件下（电流和温度）的数值。而且，由于制造工艺上的分散性，即使同一型号的稳压管，其Uz值也略有差别。 提示：如果所有二极管都与图中方向相反连接，则输出为波形为负 脈流は脈動直流ともいい 14V,10V,-1V,-4V,5V,5V 整流回路の後に並列のコンデンサを入れる方式（図-2）で出力電圧が高く取れるという利点がありますが、負荷変動による電圧変動が大きい欠点があります。 チョークコイル　choke coil 扼流圈 三端子レギュレータ　regulator ?3端子レギュレータには色々な種類がある。まず、大きく正出力と負出力の2つにわけられる。その製品には各メーカー独自にμAやLMなどの記号が付けられているが、番号は各社ともほぼ同じで正出力は78、負出力は79が一般的である。 発振防止（はっしんぼうし） P型半導体とN型半導体を接合するとPN接合になります。 電界が存在することによりキャリアがドリフトする ドリフト Drift 拡散（かくさん）空乏層 くうぼうそう 5价元素称为施主杂质，它失去一个价电子成为正离子，但不会产生空穴。正离子束缚在晶格中，不能象空穴那样起导电作用。 N：negative；P：positive 不论是N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但整个晶体仍然是不带电的，宏观上保持电中性。 整流特性? 　整流性： 電流を一方向にしか流さない特性 バイアス bias 死区（OA段）硅管约 0.5 V，锗管约 0.2 V； 锗管的正向电阻小于硅管 スレッショルド電圧　threshold voltage；閾値電圧（いきちでんあつ） 死区电压、阈值电压 理想的なダイオードの条件としては，(1) 順方向の立ち上がりが限りなく０Ｖに近い。(2) 順方向の傾斜が急峻。（抵抗が小さい）(3) 逆方向には電流が流れない。が挙げられます。 [解]（1） （2） 設計手引きにより、 C = 470 mF, UCN = 50 V の電解コンデンサを選択できる。 UO =1.2U2 = 30V IO = UO/RL = 0.3A IF≥2ID IO = 2× 2 = 0.3A