山东理工大学模电第2节4.ppt

4.分析二极管电路的很重要的方法是模型分析法，即根据实际电路情况，为二极管建立一个接近于它原有伏安特性的线性模型(如理想模型、恒压源模型)，二极管有很多作用，如整流、限幅、钳位等。 5.特殊二极管与普通二极管一样，也具有单向导电性。利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管；利用发光材料，可制成发光二极管；利用PN结的光敏特性，可制成光电二极管；利用PN结的结电容，可制成变容二极管。 * 第1章 半导体二极管及应用电路 【本章小结】 1.半导体存在两种导电的载流子：自由电子和空穴。纯净的半导体也称为本征半导体，在本征半导体中掺入不同的有用杂质，可分别形成P型和N型两种杂质半导体，P型半导体的多数载流子是空穴，N型半导体的多数载流子是自由电子。 2. PN结的重要特性是单向导电性，即加正向电压PN结导通，加反向电压PN结截止。 3.常用伏安特性来描述半导体二极管的性能,二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向击穿电压、最高工作频率等。 电气与电子工程学院 电气与电子工程学院 作业 1-1、1-4、1-8 第2章　双极型三极管(BJT) 及其放大电路 　　又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 　　三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。 图 2.1.1　三极管的外形 2.1.1　三极管的结构 　　常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 图2.1.2　三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P e 发射极，b基极，c 集电极。 平面型(NPN)三极管制作工艺 N c SiO2 b 硼杂质扩散 e 磷杂质扩散 磷杂质扩散 磷杂质扩散 硼杂质扩散 硼杂质扩散 P N 　　在 N 型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成 P 型(基区)，再在 P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。 　　合金型三极管制作工艺：在 N 型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与 N 型锗接触，冷却后形成两个 P 型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。 图 2.1.3　三极管结构示意图和符号　　(a)NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 2.1.3　三极管结构示意图和符号　　(b)PNP 型 2.1.2　三极管的放大作用 　　　　和载流子的运动 以 NPN 型三极管为例讨论 图2.1.4　三极管中的两个 PN 结 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 复习 1.二极管的作用（有四） 2. 特殊二极管（稳压管） 4. ** 重点与考点：1、二极管削波与限幅 2、温度对特性的影响、3、三极管各管脚的判断 3. 三极管符号、类型、称呼 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 b e c Rc Rb 三极管中载流子运动过程 I E IB 　　1. 发射　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 　　2. 复合和扩散　电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 Ibn，复合掉的空穴由 VBB 补充。 　　多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 图 2.1.5　三极管中载流子的运动 b e c I E I B Rc Rb 三极管中载流子运动过程 　　3. 收集　集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。 　　其能量来自外接电源 VCC 。 I C 　　另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 ICBO 图 2.1.5　三极管中载流子的运动 b e c e Rc Rb 　　三极管的电流分配关系 IEp ICBO IE IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn + IEp 　= IEn+ IEp 　　一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大。而二者之