可控硅工作原理介绍.pdf

可控硅工作原理 可控硅工作原理包含单向 控硅工作原理、双向可控硅工作原理，欢迎垂询厦门日华机 电成套有限公司购买可控硅产品。可控硅是 控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结 的四层结构的大功率半导体器件，一般由两可控硅反向连接而成。它的功用不仅是整流，还 可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率 的交流电变成另一种频率的交流电等等。 控硅和其它半导体器件一 ，其有体积小、效率 高、稳定性好、工作 靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成 为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2 四层三端器件，创制于 1957 年，由于它特性类 似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T 。又由于 控硅最初应用 于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR 。 在性能上， 控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件 （俗称 死硅”）更为 贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著 增加，允 通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极 快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 1、可控硅元件的结构 不管 控硅的外形如何，它们的管芯都是由P 型硅和N 型硅组成的四层P1N1P2N2 结构。 见图1。它有三个PN 结 （J1 、J2 、J3 ），从J1 结构的P1 层引出阳极A ，从N2 层引出阴级K， 从P2 层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。 2、 工作原理 可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件，共有三个PN 结，分析原理时，可以把它看作 由一个PNP 管和一个NPN 管所组成，其等效图解如图1 所示 当阳极A 加上正向电压时，BG1 和BG2 管均处于放大状态。此时，如果从控制极G 输 入一个正向触发信号，BG2 便有基流 ib2 流过，经 BG2 放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因 为BG2 的集电极直接与BG1 的基极相连，所以ib1=ic2 。此时，电流ic2 再经BG1 放大，于 是BG1 的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2 的基极，表成正反馈，使 ib2 不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1 和BG2 所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G 的电流 消失了， 控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以 这种可控硅是不 关断的。 由于 控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的 条件才能转化，此条件见表1 可控硅的基本伏安特性见图2 图2 控硅基本伏安特性 （1）反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时 （见图3 ），J2 结正偏，但J1 、J2 结反偏。此时只 能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1 结的雪崩击穿电压后，接差J3 结也击 穿，电流迅速增加，图3 的特性开始弯曲，如特性OR 段所示，弯曲处的电压URO 叫 反向 转折电压”。此时， 控硅会发生永久性反向 （2 ）正向特性 当控制极开路，阳极上加上正向电压时 （见图4 ），J1 、J3 结正偏，但J2 结反偏，这与 普通 PN 结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3 的特性发生了弯曲，如特性OA 段所示，弯曲处的是UBO 叫：正向转折电压 图4 阳极加正向电压 由于电压升高到J2 结的雪崩击穿电压后，J2 结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的 电子和空穴，电子时入N1 区，空穴时入P2 区。进入N1 区的电子与由P1 区通过J1 结注入 N1 区的空穴复合，同 ，进入P2 区的空穴与由N2 区通过J3 结注入P2 区的电子复合，雪 崩击穿，进入N1 区的电