SOI为制造GaN高电子迁移率晶体管打下良好基础化合物半导体.PDFVIP

技术 | Technology – SOI SOI：为制造GaN高电子迁移率 晶体管打下良好基础 由于绝缘层上硅（SOI）衬底具有更小的损耗和更好的电学隔离特性， 将硅衬底更换成SOI衬底可以提升GaN高电子迁移率晶体管（HEMT） 的射频性能。 HSIEN-CHIN CHIU, LI-YI PENG, HSIANG-CHUN WANG, HOU-YU WANG, 台湾长庚大学 G.-Y. LEE, JEN-INN CHYI, 台湾国立中央大学 由于硅技术的飞速发展，工作在微波及毫米 电子迁移率晶体管（HEMT ）相结合。由于GaN 波段的纳米尺寸集成电路器件的性能正在 具有较大的能量带隙并且它能够承载高的功率密 飞速提升。然而，由于硅材料本身的原因，在毫 度，这种组合能够在高频下实现高的输出。硅上 米波频率上硅器件的输出功率密度仍十分有限， GaN HEMT 的另一个优点在于，由于各类尺寸硅 而且它的信号的损失也非常明显。 衬底已非常普及，因此它的制造成本非常具有竞 为了实现高的输出功率并获得更大的带宽， 争力，并且它的器件产品还具有等比例缩小的可 尝试与测试的解决方案是需要将硅与另一种半导 能性。 体材料异质集成在同一衬底上。 然而，硅上GaN HEMT 也有一些缺点。一 一个常见的选择方法是将硅材料与GaN 高 个显著的缺点是它会垂直通过硅衬底发生电学击 穿，这是由于这两种半导体材料之间具有较大的 晶格失配，并且硅的电场击穿强度比较低，只有0.3 MV/cm 。另一个缺点是在硅（111）面上生长的 GaN 具有最好的质量，然而传统硅器件使用的是 （100）晶面。第三个重要的问题是硅衬底的损耗 大，特别在无线频率下，这是因为它具有较低的 电阻率以及较高损耗角正切的属性所致。 为了解决所有的这些问题，有几个研究组， 包括我们来自台湾的团队——长庚大学和国立中 央大学的合作团队——将目标转向了以SOI 材料 作为GaN HEMT 的衬底。 在过去的十年间，这种SOI 衬底已经证明了 它在恶劣环境下仍然具有商业应用的能力，例如 它能够承受高温或高强度的辐射。它也证明了它 图1. InAlN/AlN/GaN HEMT制备在一个6英寸的SOI衬底上。 在毫米波频率下的工作效率，其截止频率可达到 22 化合物半导体 2017年第2期