厚膜ntc热敏电阻浆料-讲义.pptVIP

NTC半导体热敏陶瓷 1932年德国科学家首先用氧化铀制备成功了负温度系数半导体热敏电阻器。 1940年以Mn、Co、Cu和Ni等金属氧化物为基的NTC半导体陶瓷开发成功。这类陶瓷具有负电阻温度系数大（-1% ~ -6%/℃），性能稳定、可以在空气中使用和工作温度范围宽（-60 ~ +300℃）等特点，得到了迅速的发展。被广泛应用于测温、控温、补偿、稳压、流量、流速测量以及时间延迟等设备中。 1950年300℃以上的NTC半导体陶瓷高温热敏电阻器和23℃下的NTC半导体陶瓷低温热敏电阻器开发成功。 1960年以氧化钒（VO2）为基的临界温度热敏电阻开发成功，这种热敏电阻的电阻率能在某一温度突然降低几个数量级，具有开关特性。 一、热敏相的制备和表征： NTC半导体陶瓷一般为尖晶石结构，其通式为AB2O4，式中A一般为二价正离子，B为三价正离子，O为氧离子。尖晶石结构的单胞中共有8个A离子，16个B离子和32个氧离子。尖晶石结构的单胞中氧离子位于其晶格位置，金属离子则位于晶格间隙中。晶格间隙由两种类型： （1）?? 正四面体间隙，（2）正八面体间隙。 根据金属离子占据不同类型间隙的特点，尖晶石结构又可分为： （1）正尖晶石结构：A离子占据四面体间隙，B离子占据八面体间隙，其通式为A2+(B3+)2O2-4； （2）（全）反尖晶石结构：全部A位被B离子占据，B为则有A、B离子各半占据，其通式为B3+ (A2+B3+)O2-4； （3）半反尖晶石结构或中间型尖晶石结构：只有部分A位被B离子占据。 多元系NTC半导体陶瓷的导电机理 NTC半导体热敏陶瓷通常都是以MnO为主原料，同时引入CoO、NiO、CuO和FeO等可变价金属氧化物，使其在高温下形成半反或全反尖晶石结构的半导体陶瓷。 1、MnO中引入可变价金属氧化物MeO 高温下（ 800 ℃），MnO以正尖晶石结构的Mn3O4形式存在，其结构通式为：Mn2+(Mn3+Mn3+)O2-4。 当MnO引入MeO变价金属氧化物时，部分Me离子占据B位而形成半反或全反尖晶石结构，相应结构式为： 半反尖晶石结构：Me3+1-x Mn3+x(Me3+Mn2+)O2-4、Me+1-x Mn2+x(Me2+Mn4+)O2-4， 或全反尖晶石结构：Me3+(Me3+Mn2+)O2-4、Me2+(Me2+Mn4+)O2-4等。 以上结构中两种异价阳离子同时位于B位，满足电子交换条件，因而可形成半导体陶瓷。 尖晶石型半导体陶瓷的电子交换条件： 在尖晶石型氧化物中必须有均可以变价的异价阳离子同时存在，而且两种异价阳离子必须同时存在于B位，才能形成半导体。 因此，只有全反尖晶石结构和半反尖晶石结构的氧化物才是半导体。 2、MnO中引入非变价金属氧化物MeO 当MnO引入非变价金属氧化物MeO时，在高温下也能形成半反尖晶石结构，即有部分Me离子占据B位而将三价Mn3+置换出来，形成的结构式为： Me2+1-x Mn3+x(Me2+x Mn3+2-x )O2-4。 此结构中由于B位的Me2+离子不变价，因而不可能发生电子交换，其电导过程只可能是由于Mn3+的变价来实现。 3、含Mn三元系半导体热敏陶瓷的导电机理 含Mn三元系半导体热敏陶瓷与二元系相似，Mn的作用是形成结构稳定的立方尖晶石或连续的固溶体。 目前应用较多的有：Mn-Co-Ni、Mn-Co-Cu、Mn-Ni-Cu等系列。在这些系列中Co、Ni、Cu等离子一般不易变价，主要以二价的形式存在，而Mn离子比较容易变价，则以三价和四价的形式存在。因此导电过程主要依靠在八面体间隙中Mn离子变价来实现。 在Mn三元系半导体热敏陶瓷的尖晶石晶格中Mn离子优先占据B位，下面依次是Ni、Cu、Co，因此Co离子主要占据A位。 含Mn三元系半导体热敏陶瓷的电导率随Mn含量的增加而增加。 1、热敏相体系： 常用的热敏相主要有Co-Mn、Mn-Ni、Cu-Mn、Co-Mn-Ni、Co-Ni-Cu、Co-Mn-Cu、Co-Ni-Fe、Mn-Ni-Cu、Mn-Ni-Fe、Co-Mn-Ni-Cu、Co-Mn-Ni-Fe、Co-Mn-Cu-Fe、Co-Ni-Cu-Fe、Mn-Ni-Cu-Fe、Co-Mn-Ni-Cu-Fe等体系。 目前广泛使用的主要为含锰二元系、含锰三元系和含锰四元系氧化物热敏相。 （1）Cu-Mn体系 主晶相为具有立方尖晶石结构的CuMn2O4，晶格常数a = 8.