第1章节 半导体器件.ppt

第五节、半导体三极管 P P N 发射极 基极 集电极 发射区 发射结 基区 集电结 集电区 b c e PNP型 第五节、半导体三极管 N N P 几百微米 几微米 e b c 三极管结构图 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 e区掺杂浓度最高 第五节、半导体三极管 1、类型 NPN 型 PNP 型 e区掺杂浓度最高 2、结构特点 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 归纳 低频小功率管 3、按用途分类 低频大功率管 高频小功率管 高频大功率管 开关管 第五节、半导体三极管 三极管常见外型图 第五节、半导体三极管 半导体三极管 观看多媒体动画教学片《半导体器件》之二 链接动画片 第五节、半导体三极管 二、三极管的电流分配关系和电流放大作用 三极管可用于放大(也可做电子开关)。 放大——将微弱电信号增强到人们所需要的数值。 e b c 共发射极放大电路——发射极为交流输入和输出电压的公共端 uCE 输出端口 + - uBE 输入端口 + - 具备什么条件才能起放大作用？ e区掺杂浓度最高 内部条件 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 一、放大的条件 外部条件 发射结正偏 集电结反偏 第五节、半导体三极管 iB iE iC uBE EC + - RC EB + - RB ui 第五节、半导体三极管 加电原则（外部条件） 发射结（e 结）正向运用 集电结（c 结）反向运用 + - UCB + - UCE + - UBE N N P b e c e结 c结 N P + - 正向运用 b c e RB EB + - RC + - EC RC RB + - EC EB + - 第五节、半导体三极管 加电原则 发射结（e 结）正向运用 集电结（c 结）反向运用 + - UCB + - UCE + - UBE P P N b e c e结 c结 RB RC + - EC RC RB b c e PNP管如何加电源？ EB + - + - EC EB + - 第五节、半导体三极管 电位特点 　NPN型：VC＞Vb＞Ve 　PNP型： VC＜Vb＜Ve UBE 硅　0.6~0.8V 锗　0.1~0.3V UCB 几伏——十几伏 UCE＝UCB＋ UBE 几伏—— 十几伏　 UCE 电压数值 + - UCB + - UCE + - UBE b c e RC RB + - EC EB + - EC c极 b极 e极 N P N c结 e结 RB EB RC 三极管内部载流子运动 正向 偏置 反向 偏置 多子 少子 忽略 (二) 各电极电流的形成 IC IB IE 1、发射区向基区扩散电子 三极管各电极电流的形成 2、电子在基区的扩散和复合 e 结加正向电压： 3、 集电区收集电子 电源EB不断向基区补充空穴形成IB 。 c 结加反向电压 电子越过c结被收集，并流集电极电源形成IC 电源EC不断向发射区补充电子形成IE。 多数向 c 结方向扩散 少数与空穴复合 （浓度低忽略） 发射区向基区扩散电子 基区向发射区扩散空穴 （三）电流分配及放大作用 实验电路 IB IE IC RC RB EB + - + - EC mA mA μA 调RB改变发射极电压UBE和基极电流IB 不同IB对应不同的IC和IE 第五节、半导体三极管 1、电流通路 2、电流流向 IB IE IC NPN型：IC、 IB流入， IE流出 PNP型：IC、 IB流出， IE流入 RC RB + - EC EB + - 第五节、半导体三极管 IB(mA) 0 -0.004 0.02 0.04 0.06 IC(mA) 0.001 0.004 0.70 1.50 2.30 IE(mA) 0.001 0 0.72 1.54 2.36 3、电流关系 （1）IE=IB +IC （2）IC?IB IE≈IC 结论