第2章节 二极管及基本电路.pptVIP

一、半导体的基本知识 2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？ 五、二极管基本电路及分析方法 V＝2V，ID≈2.6mA V＝5V，ID≈ 8.6mA V＝10V，ID≈ 50mA 在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！ 六、特殊二极管 一、稳压二极管 1. 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 符号： 等效电路： 六、特殊二极管 2. 主要参数 稳定电压UZ 稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 一、稳压二极管 正向导通区 反向截止区 稳压工作区 3. 三个工作区 第二章 二极管及基本电路 模拟电子技术基础 第二章 二极管及基本电路 一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、二极管及伏安特性 五、二极管基本电路及分析方法 六、特殊二极管 三、二极管的等效模型 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、半导体、本征半导体 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 一、半导体的基本知识 2、本征半导体的结构 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留下一个空位置，称为空穴 共价键：两个原子外层电子 的共有轨道 一、半导体的基本知识 2、本征半导体的结构 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 温度一定时，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴的浓度加大。 本征半导体中自由电子与空穴的浓度相同。 一、半导体的基本知识 3、本征半导体中的两种载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，导电性很差。 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载 流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 载流子 一、半导体的基本知识 二、杂质半导体 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子 1、N型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 磷（P） N型半导体主要靠自由电子导电，掺入杂质越多，自由电子浓度越高，导电性越强， 多数载流子 2、P型半导体 硼（B） P型半导体中主要由空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 杂质半导体中，温度变化时载流子的数目同时变化；少子与多子变化的数目相同，少子与多子浓度的变化不相同。 一、半导体的基本知识 二、 PN结的形成及特性 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场，不利于扩散运动的继续进行。 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体都存在这种现象。 扩散运动 空穴浓度高于N区 自由电子浓度高于P区 一、PN结的形成 二、 PN结的形成及特性 一、PN结的形成 因电场作用所产生的少数载流子运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场（空间电荷区），从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 二、 PN结的形成及特性 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，多数载流子扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于正向导通状态，正向电阻很小。 二、PN结的单向导电性 1、PN结加正向偏置电压 二、 PN结的形成及特性 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止多数载流子扩散运动，有利于少数载流子漂移运动，形成反向漂移电流。由于电流很小，反向电阻很大，近似认为截止。 2、PN结加反向偏置电压 二、 PN结的形成及特性 三、PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快