第4章节 热电式传感器.ppt

当外界条件改变时，传感器的阻值RT会有相应的变化，这时电桥平衡破坏，桥路两端的电压Vs也随之而变，由于Vs能反映出桥臂电阻的微小变化，因此通过测量输出电压即可以检测外界条件的变化。 当外界条件改变时，传感器的阻值RT会有相应的变化，这时电桥平衡破坏，桥路两端的电压Vs也随之而变，由于Vs能反映出桥臂电阻的微小变化，因此通过测量输出电压即可以检测外界条件的变化。 光纤温度传感器 将光纤的覆盖层去掉，用对温度依赖性大的甘油等液体形成液态覆盖层。这样，温度变化引起覆盖层折射率改变，从而引起反射光量变化，达到测温的目的。 二极管作为温度传感器虽然工艺简单，但线性差，为扩大VF与T的线性关系范围，可采用特性相同的差分对管，如果一个二极管的工作电流为IF1，而另一个二极管的工作电流为IF2，则两只二极管的电位差为： 式中α—与温度无关的常数，但与结面积和基区宽度有关； γ——常数，取决于基区中少数载流子迁移率对温度的依赖性，其值一般在 3～5之间； Eg0——绝对温度时硅的外推禁带宽度，常取1.205eV。 式中，Vg0=Eg0/q，如果 Ic 为常数，则 VBE 仅随温度单调和单值变化。 在恒流工作状态下，VBE与T的关系只是近似线性；在宽温度范围和高精度测温时，必须进行线性化补偿，常用的方法如差分对管法。 把两个结构和性能完全相同的晶体管置于同一温度下，使其分别在两个不同的恒定集电极电流Ic1和Ic2下工作，则两管基极—发射极电压之差△VBE与温度保持理想的线性关系： 改变反馈Rf可以达到要求的灵敏度 式中 n ——Q1和Q2三极管发射板的面积比； k——波尔兹曼常数； T——被测稳定； q——电子电荷。 集成电路温度传感器的感温元件采用差分对晶体三极管，它产生与绝对温度成正比的电压和电流，这部分常称为PTAT。 ni :本征载流子浓度，NB:基区单位面积杂质数目， D:少数载流子有效系数(假设扩散系数D与位置无关)。 Js为饱和电流密度 热辐射测温方法就是基于物体的热辐射能量随其温度的变化而变化的特性来检测其温度的，是一种非接触式的测温方法。 自然界中的一切物体，只要它的温度高于绝对温度(-273℃)就存在分子和原子无规则的运动，其表面就不断地发出红外辐射能量。物体的红外辐射能量的大小及其按波长的分布——与它的表面温度有着十分密切的关系。 因此，通过对物体自身辐射的红外能量的测量，便能准确地测定它的表面温度，这就是红外辐射测温所依据的客观基础。 一个绝对温度为T的黑体，单位表面积在波长λ附近单位波长间隔内向整个半球空间发射的辐射功率(简称为光谱辐射度)Wλ与波长λ、温度T满足下列关系： 根据斯特潘－波尔兹曼定律，黑体单位表面积向整个半球空间发射的所有波长的总辐射功率W(简称为全辐射度)随其温度的变化规律。 式中C1-第一辐射常数，C2-第二辐射常数 斯特潘-玻耳兹曼定律表明，凡是温度高于开氏零度的物体都会自发地向外发射红外热辐射，而且，黑体单位表面积发射的总辐射功率与开氏温度的四次方成正比。而且，只要当温度有较小变化时，就将会引起物体发射的辐射功率很大变化 。 红外光电探测器工作原理基于光电效应。 光电效应就是由于物体吸收了能量为E的光子的能量而产生的电效应。光电效应常分为内、外光电效应两大类。 一、外光电效应(external photo electric effect) 当光照射某种物质时，若入射的光子能量hv足够大，它和物质中的电子相互作用，致使电子逸出物质表面，这种现象称为光电子发射效应或外光电效应。 外光电效应电子能量的转换公式为： 公式表明，入射光子的能量必须大于逸出功，才能使电子有足够的动能逸出表面。逸出的电子数越多，产生的光电流也越大。 基于外光电效应的光电变换器件有光电管、光电倍增管等。 二、内光电效应(internal photo electric effect) 在光线作用下，激发的载流子(电子或空穴)保留在物体内部，使物体的电导率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 1．光电导效应(photo conductive effect) 光电导体受光线作用时，其电导率(电阻)发生变化的现象称为光电导效应。 当光子能量hv大于材料的禁带宽度Eg时，会引起本征吸收，使价带中的电子跃迁到导带，光生载流子的浓度增加，使光电导器件的电导率发生变化。当给光电导器件两端外加一恒定电压时，电导率的变化就会产生一个与光辐射度有关的电信号。 基于此原理的光电器件有光敏电阻、光导管。