第5章节 光生伏特器件 5.2节.pptVIP

5.2 其他光电二极管 5.2.1 PIN型光电二极管 PIN光电二极管在反向电压作用下，耗尽区扩展到整个半 导体，光生载流子只产生漂移电流。 PIN光电二极管的 时间响应只取决于τdr 与τRC ，在10-9s左右。 5.2.2 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管提高光电二极管的灵敏度，使光电二极 管的光电灵敏度提高到需要的程度。 1.结构 2.工作原理——雪崩效应 在PN结上加上相当高的反向偏压，使结区产生很强的电 场。当光照射在PN结上时，激发出光生载流子，光生载流子 在强电场的作用下进行高速定向运动，具有很高动能的光生 电子或空穴与晶格原子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子 --空穴对；二次电子和空穴对在电场的作用下获得足够的动 能，又使晶格原子电离产生新的电子--空穴对，此过程就像 “雪崩”似地继续下去。 电离所产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子 数。 3.特性参数 ⑴ 倍增系数（雪崩增益） 雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数M 表示，定义为 （5-10） 式中，I0 为无雪崩倍增时，PN结反向的电流，I 为有雪崩时倍 增输出的电流。 雪崩倍增系数M与碰撞电离率有密切的关系。 碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离 所产生的电子-空穴对数目。 由实验确定，电离率α与电场强度E 近似的有以下关系 （5-11） 式中，A、b、m都为与材料有关系数。 假定αn=αp=α时，可推导出倍增系数与电离率的关系为 （5-12） 式中，XD为耗尽层的宽度。上式表明，当 （5-13） 时，M→∞。 称为发生雪崩击穿的条件。 实验发现，在反向偏压略低于击穿电压时，也发生雪崩 倍增现象，不过此时M 较小，M 随反向偏压U的变化可用经验 公式近似表示为 （5-14） 式中，指数n与PN结的结构有关。对N+P型结，n ≈ 2；对P+N型 结，n≈ 4。 雪崩过程中PN结上的反向偏 压容易产生波动，将影响增 益的稳定性。所以，在确定 工作点后，对偏压的稳定度 要求很高。 ⑵ 噪声 雪崩光电二极管的噪声比一般光电二极管要大些。在无倍 增的情况下，其噪声电流主要为散粒噪声。 当雪崩倍增M 倍后，雪崩光电二极管的噪声可近似由下式 计算： （5-15） 式中，指数n与雪崩光电二极管的材料有关。对于锗管，n=3； 对于硅管为2.3 n 2.5。 信号电流按M 倍增加，而噪声电流按M n/2倍增大。随着M 增大，噪声比信号电流增加得更快。 ⑶时间响应 由于雪崩光电二极管工作时所加的反向偏压高，光生载 流子在结区的渡越时间短，结电容只有几个皮法，甚至更小， 所以雪崩光电二极管的响应时间一般只有0.8ns~1ns，相应 的响应频率可达几十吉赫兹。 5.2.3 光电二极管的应用 ? * * (a)结构图 (b)外形图 图5-6 PIN光电二极管结构与外形图 (a) P型N结构 (b) N型P结构 (c) PIN结构 图5-7 三种雪崩光电二极管结构示意图 图5-8 雪崩二极管的暗电流和光电流与偏置电压的关系曲线