第5章节 内存储器及其接口.ppt

第5章 内存储器及其接口 5.1 半导体存储器 计算机的存储器分为： 内存（主存）：由半导体存储器组成，存放CPU正在执行的程序和数据，可被CPU直接访问。 外存（辅存）：包括磁盘、光盘及磁带存储器组成，存放CPU暂时不执行的程序和数据，不可被CPU直接访问。 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息。 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元。 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作。 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS或CE 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 n=10 可寻址的单元数为1024个（210）--1K n=11 可寻址的单元数为2048个（211） --2K n=12 可寻址的单元数为4096个（212） --4K n=13 可寻址的单元数为8192个（213） --8K n=14 可寻址的单元数为16384个（214） --16K n=15 可寻址的单元数为32768个（215） --32K n=16 可寻址的单元数为65536个（216） --64K n=17 可寻址的单元数为（217） --128K n=18 可寻址的单元数为（218） --256K n=19 可寻址的单元数为（219） --512K n=20 可寻址的单元数为1024K个（220）--1M n=21 可寻址的单元数为2048K个（221） --2M n=22 可寻址的单元数为4096K个（222） --4M n=23 可寻址的单元数为8192K个（223） --8M n=24 可寻址的单元数为16384K个（224） --16M n=25 可寻址的单元数为32768K个（225） --32M n=26 可寻址的单元数为65536K个（226） --64M n=17 可寻址的单元数为（227） --128M n=28 可寻址的单元数为（228） --256M n=29 可寻址的单元数为（229） --512M 换算单位：1KB=1024B 1MB=1024KB 1GB=1024MB 1TB=1024GB 2.存储速度 可以用两个时间参数表示： 一个是“存取时间”（Access Time）TA: 定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间； 对8086， TA ＜ T2+T3 另一个是“存储周期”（Memory Cycle）TMC: 定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔； TMC= TA + 恢复时间 四、 存储器的分类 半导体存储器的特点： （1）速度快：存取时间可为ns级。 （2）集成化高：存储单元、片内译码器、片内缓冲器均集成在芯片内并且体积很小。 （3）非破坏性读出：读出实际是信息的复制，读出后原信息不丢失。 半导体存储器的分类 按制造工艺（按器件组成） 双极型TTL：速度快、集成度低、功耗大 单极型MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按工作特点、作用、制作工艺角度分： 1、随机存取存储器RAM： 可随时对任意单元进行读写操作，断电后信息会丢失。 分为: 静态随机存取存储器SRAM. 动态随机存取存储器DRAM. （1）SRAM:静态RAM.利用6管触发器电路存储信息，读出后信息不丢失，不需要刷新，存取速度快，但功耗较大，每位价格比高。 （2）DRAM:动态RAM.利用MOS的极间电容存储电荷表示存储信息，存储的电荷可保持2ms，读出后信息会丢失，需要刷新，存取速度较慢，但功耗较小，每位价格比低，适合构成大容量的存储器。 读写存储器RAM 2、只读存储器ROM：正常工作时存储的信息只能读出、断电后信息不丢失。 （1）掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改。 （2）PROM：允许一次编程，此后不可更改。 （3）EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程。 （4）EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写。 3、Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，具有整块或部分擦写的特点。 半导体存储器芯片的发展 主存包括：内