第7章节 二极管和三极管.ppt

第七章 二极管和三极管 自由电子和空穴的定向移动都可以形成电流，在半导体中同时存在自由电子导电和空穴导电，这是半导体与导体的本质区别 例：图示电路，已知ui的波形，画出uo的波形。 R RL ui uR uo C D t ui t uo t uR §7.4 稳压二极管 稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管。由于它在电路中与适当数值的电阻配合，能起到稳定电压的作用，所以称其为稳压管。 1 基本结构 图形符号 文字符号 DZ P N + - 阳极 阴极 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ （1）稳压管的伏安特性与二极管的伏安特性类似。所不同的是稳压管的反向特性曲线比较陡。 （2）稳压管工作于反向击穿区。当稳压管反向击穿后，反向电流虽在很大范围内变化，但反向电压却变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中可以起稳压作用。 （3）稳压管与一般二极管不同，它的反向击穿是可逆的。当取掉反向电压后，稳压管又恢复正常。但是，如果反向电流超过允许范围，稳压管将发生热击穿而损坏。 2 伏安特性 3 主要参数 （1）稳定电压UZ 为稳压管反向击穿后稳定工作的电压值。手册中所给的都是在一定条件下的数值，即使是同一型号的管子，由于工艺和其它方面的原因，稳压值都有一定的分散性。 （2）电压温度系数?U （％/℃） 温度每变化1℃稳定电压变化的百分数。一般来说，低于6V的稳压管，其电压温度系数是负值；高于6V的稳压管，其电压温度系数是正值；而在6V左右的稳压管，其稳定电压基本不随温度变化。因此选用稳定电压为6V左右的稳压管，可得到较好的温度稳定性。 （3）动态电阻rZ 稳压管的反向特性曲线越陡， 则动态电阻越小，稳压性能越好。 （4）稳定电流IZ 为稳压管正常工作时的参考电流值。手册上给出的稳定电压和动态电阻都是对应于这个电流附近的数值。 （5）额定功率PZ和最大稳定电流IZM PZ为稳压管允许结温下的最大功率损耗。IZM为稳压管允许通过的最大电流。 §7.5 三极管 半导体三极管也称晶体管，是最重要的一种半导体器件。它的放大作用和开关作用促使了电子技术的飞跃发展。 半导体三极管 单极型三极管(场效应管)： 这种三极管工作时，参与导电的载流子只有一种（电子或空穴）。 双极型三极管： 这种三极管工作时，电子、空穴都参与导电。 1 基本结构 同二极管一样，三极管也是由PN结加上电极引线和管壳而组成的。但三极管有两个PN结，三个电极引线。 三极管 NPN型（硅管多为NPN型，属3D系列） PNP型（锗管多为PNP型，属3A系列） N N P B C E 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 发射区 基区 集电区 P P N B C E 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 发射区 基区 集电区 NPN型 PNP型 结构示意图 注意： （1）一般基区作的很薄，掺杂浓度很低。 （2）发射区的掺杂浓度高于集电区，而集电区的尺寸大于发射区，所以二者不能互换。 B E C T B E C T 电路符号和文字符号 NPN型 PNP型 2 电流放大作用 三极管具有电流放大作用，这是由其内部结构的特殊性和外部条件所决定的。放大的外部条件是： （1）发射结上要加正向电压（正向偏置）； （2）集电结上要加反向电压（反向偏置）。 若|UCE ||UBE|0 所以三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，满足放大的外部条件。 三极管电流放大作用的实验电路，其中三极管为 NPN型 实验： 改变RB ，测量IB、IC、IE。 5.58 4.06 2.54 1.02 0.001 IE /mA 5.50 4.00 2.50 1.00 0.001 IC /mA 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB/mA UBB RB UCC B E C T RC IB IC IE ?A mA UBE V UCE V mA 5.58 4.06 2.54 1.02 0.001 IE /mA 5.50 4.00 2.50 1.00 0.001 IC /mA 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB/mA 结论： （1）IB+IC=IE （满足KCL） （2）IE≈ICIB （3）IB虽然很小，但对IC有控制作用，即IB变大时，IC也跟着变大；IB的较小变化将会引起IC的较大变化。这就是三极管的电流放大作用。 定义： 称为晶体管的静态 （直流）电流放大系数 称为晶体管的动态 （交流）电流放大系数 二者一般并不严格区分 共发射极接法 UBB RB UCC B E C T RC IB IC IE ?A mA UBE V UCE V mA 例 5.58